[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基板；

半导体层，包括沟道部分、第一导电化部分和第二导电化部分，其中，所述第一导电化部分位于所述沟道部分的一侧上并包括第一主导电化部分和第一子导电化部分，所述第二导电化部分位于所述沟道部分的另一侧上并且包括第二主导电化部分和第二子导电化部分；

栅极绝缘膜，位于所述沟道部分上；

第一辅助电极，位于所述第一主导电化部分上；

第一电极，位于所述第一辅助电极上；

第二辅助电极，位于所述第二主导电化部分上；

第二电极，位于所述第二辅助电极上；以及

第三电极，位于所述栅极绝缘膜上并与所述沟道部分交叠，

其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极各自包括导电氧化物。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电氧化物包括透明导电氧化物、氮氧化物和有机物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子导电化部分位于所述第一主导电化部分与所述沟道部分之间，并且所述第二子导电化部分位于所述第二主导电化部分与所述沟道部分之间，

所述第一主导电化部分的电阻低于所述第一子导电化部分的电阻，并且所述第一子导电化部分的电阻低于所述沟道部分的电阻，并且

所述第二主导电化部分的电阻低于所述第二子导电化部分的电阻，并且所述第二子导电化部分的电阻低于所述沟道部分的电阻。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子导电化部分不与所述第一电极或所述第三电极交叠，并且所述第一子导电化部分的电导率不同于所述第一主导电化部分的电导率，并且

所述第二子导电化部分不与所述第二电极或所述第三电极交叠，并且所述第二子导电化部分的电导率不同于所述第二主导电化部分的电导率。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的至少一个包括包含第一材料的第一材料层和包含与所述第一材料不同的第二材料的第二材料层，并且

所述第一材料和所述第二材料每个不同于所述导电氧化物并且不包含氧。

6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极上的钝化层，

所述栅极绝缘膜包括第一开口区和第二开口区，

所述第一电极与所述第一辅助电极在所述第一开口区中电连接，并且所述第二电极和所述第二辅助电极在所述第二开口区中电连接，并且

所述钝化层的第一部分在第一开口区中与所述第一子导电化部分接触，并且所述钝化层的第二部分在第二开口区中与所述第二子导电化部分接触。

7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极上的钝化层，

所述栅极绝缘膜包括第一开口区和第二开口区，

所述第一电极与所述第一辅助电极在所述第一开口区中电连接，并且所述第二电极和所述第二辅助电极在所述第二开口区中电连接，并且

所述第一子导电化部分由所述栅极绝缘膜与所述钝化层间隔开，并且所述第二子导电化部分由所述栅极绝缘膜与所述钝化层间隔开。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述钝化层包括具有不同氢含量的多个层。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述钝化层的所述多个层中的至少一个层的氢含量高于所述第一子导电化部分和所述第二子导电化部分各自的氢含量。

10.根据权利要求7所述的显示装置，还包括位于所述第一电极至所述第三电极与所述钝化层之间并包含氢的功能绝缘膜。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述功能绝缘膜的氢含量高于所述第一子导电化部分和所述第二子导电化部分各自的氢含量。