[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202210833365.7 申请日: 2022-07-14
公开(公告)号: CN115207063A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 汪国杰 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 熊明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一阵列基板;

制备第一电极于阵列基板上,所述第一电极阵列排布于所述阵列基板上,相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔,相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔;

整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上;

对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影,所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层,所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层;

对所述第一像素定义层再次曝光,使所述第一像素定义层具有亲水性;

制备发光层于所述第一电极上。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二像素定义层的厚度大于所述第一像素定义层的厚度。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度范围为0.2um-0.5um,所述第二像素定义层的厚度范围为1um到2um。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度大于所述第一电极的厚度。

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述发光层的厚度小于所述第二像素定义层的厚度。

6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,对所述第一像素定义层再次曝光这一步骤中,采用UV光照对所述第一像素定义层再次曝光。

7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述对所述第一像素定义层再次曝光,使所述第一像素定义层具有亲水性,包括以下步骤:

提供一掩模版;

将所述掩模版放置在所述负性材料上,使所述掩模版上的开口与所述第一像素定义层对应;

对所述第一像素定义层进行再次曝光,使所述第一像素定义层的材质由疏水性转变为亲水性;

移除所述掩模版。

8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述提供一掩模版,包括以下步骤:

提供一透明基板;

在所述透明基板上形成一层金属层,并对所述金属层进行刻蚀,以在所述金属层上形成开口;

在所述透明基板上背离所述金属层的一侧形成支撑柱,以形成掩模版。

9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述支撑柱的厚度大于或等于0.2微米且小于或等于0.8微米。

10.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度小于所述发光层的厚度。

11.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影这一步骤中,采用半色调掩模版对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影。

12.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,相邻的所述第二像素定义层之间形成有打印槽,沿着所述打印槽的延伸方向能够连续打印发光材料以形成发光层。

13.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,制备发光层的步骤后还包括:

制备第二电极于所述发光层和所述第二像素电极层上。

14.一种显示面板,其特征在于,包括:

阵列基板;

第一电极,阵列排布于所述阵列基板上,相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔,相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔;

像素定义结构,设置在所述阵列基板和所述第一电极上;所述像素定义结构包括同层设置的第一像素定义层和第二像素定义层,所述第一像素定义层位于所述第一间隔内,所述第二像素定义层位于所述第二间隔内;所述第一像素定义层具有亲水性,所述第二像素定义层具有疏水性;

发光层,设置在所述第一电极上。

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