[发明专利]壳体组件及其制备方法和电子设备

权利要求书

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：

基材；

UV纹理层，所述UV纹理层设置在所述基材的一侧；

光学镀膜层，所述光学镀膜层设置在所述UV纹理层远离所述基材的表面上，所述光学镀膜层包括至少一层第一子镀膜层和至少一层第二子镀膜层，所述第一子镀膜层和所述第二子镀膜层交替设置，所述第一子镀膜层的折射率小于所述第二子镀膜层的折射率，且所述第二子镀膜层的折射率大于等于3.0。

2.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子镀膜层的折射率小于等于2.0，所述第二子镀膜层的折射率大于等于4.0。

3.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第二子镀膜层的材料为非晶硅或含非晶硅混合物，其中，所述含非晶硅混合物中的硅含量大于等于70％。

4.根据权利要求3所述的壳体组件，其特征在于，所述含非晶硅混合物为Si-C、Si-Ge、Si-Al、Si-Zr和Si-Nb中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子镀膜层的材料为二氧化硅、二氧化锆、氧化铝和氟化镁中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述光学镀膜层的总厚度小于等于800nm，所述壳体组件的外表面的亮度L值大于等于80。

7.根据权利要求6所述的壳体组件，其特征在于，所述光学镀膜层的总厚度小于等于500nm，所述壳体组件的外表面的亮度L值大于等于90。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子镀膜层和所述第二子镀膜层的总层数为2～9层；所述基材与一层所述第一子镀膜层邻接。

9.根据权利要求8所述的壳体组件，其特征在于，所述光学镀膜层包括四层所述第一子镀膜层和四层所述第二子镀膜层，所述第二子镀膜层的材料为非晶硅，所述第一子镀膜层的材料为二氧化硅，其中，在远离所述基材的方向上，四层所述第一子镀膜层的厚度分别为5nm～15nm、50nm～100nm、50nm～100nm和50nm～100nm，四层所述第二子镀膜层的厚度分别为10nm～20nm、20nm～80nm、30nm～60nm和5nm～15nm。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的壳体组件，其特征在于，还包括膜片和盖底油膜层，所述膜片位于所述UV纹理层与所述基材之间，所述膜片与所述基材通过OCA光学胶贴合设置，所述盖底油膜层设置在所述光学镀膜层远离所述基材的一侧。

11.一种制备壳体组件的方法，其特征在于，包括：

提供基材；

在所述基材的一侧形成UV纹理层；

在所述UV纹理层远离所述基材的表面上溅射沉积光学镀膜层，所述光学镀膜层包括至少一层第一子镀膜层和至少一层第二子镀膜层，所述第一子镀膜层和所述第二子镀膜层交替形成，所述第一子镀膜层的折射率小于所述第二子镀膜层的折射率，且所述第二子镀膜层的折射率大于等于3.0。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述第二子镀膜层的材料为非晶硅或含非晶硅混合物，所述含非晶硅混合物中的硅含量大于等于70％，其中，在溅射沉积所述第二子镀膜层时，往溅射装置中充入还原性气体或惰性气体。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述第一子镀膜层的材料为二氧化硅、二氧化锆、氧化铝和氟化镁中的至少一种，其中，在溅射沉积所述第一子镀膜层时，往溅射装置中充入氧气。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基材与一层所述第一子镀膜层邻接，所述光学镀膜层的总厚度小于等于500nm。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1～10所述的壳体组件；

显示屏组件，所述显示屏组件与所述壳体组件相连，且所述显示屏组件和所述壳体组件之间限定出安装空间；以及

主板，所述主板设置在所述安装空间内且与所述显示屏组件电连接。