[发明专利]芯片测试方法、装置、设备及介质

说明书

本申请提供一种芯片测试方法、装置、设备及介质，包括：提供第一测试激励，根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点；其中，所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息；根据所述激励时间点，确定所述第一测试激励的起始时间点；加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片；提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真。本方案能够提高芯片测试效率。

技术领域

本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种芯片测试方法、装置、设备及介质。

背景技术

伴随存储器技术的发展，伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用，比如，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)。实际应用中，为了保证产品的可靠性，需要对芯片的设计电路进行测试，即进行芯片测试。

因此，如何提高芯片测试的效率成为需要考虑的问题。

发明内容

本申请的实施例提供一种芯片测试方法、装置、设备及介质。

根据一些实施例，本申请第一方面提供一种芯片测试方法，包括：提供第一测试激励，根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点；其中，所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息；根据所述激励时间点，确定所述第一测试激励的起始时间点；加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片；提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真。

在一些实施例中，所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点，包括：根据所述第一测试激励的测试属性和所述公共状态表，将与所述测试属性匹配的公共状态信息，作为所述第一测试激励对应的公共状态信息；根据所述第一测试激励的测试属性，确定所述第一测试激励对应的激励时间点；其中，所述测试属性包括以下至少一项：激励频率、工艺角以及测试功能。

在一些实施例中，所述方法还包括：分别针对具有不同测试属性的不同激励，在所述激励下对所述芯片进行仿真，并提取仿真不同时间后所述芯片的公共状态信息，存储至所述公共状态表。

在一些实施例中，所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下完成模式寄存器的配置时的各公共状态信息和/或所述芯片在不同激励下完成延迟锁相环参数的配置后的各公共状态信息。

在一些实施例中，所述方法还包括：检测模式寄存器设置功能是否正常；所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点，包括：若模式寄存器设置功能正常，则根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点。

在一些实施例中，所述检测模式寄存器设置功能是否正常，包括：根据第二测试激励，对所述芯片进行测试，所述第二测试激励包括模式寄存器设置指令；若所述模式寄存器设置指令的解码正确，则判定模式寄存器设置功能正常。

在一些实施例中，所述方法还包括：根据第三测试激励，检测延迟锁相环完成锁定时钟所需的时长是否超过预定的阈值；所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点，包括：若所述时长未超过所述阈值，则根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点。

在一些实施例中，所述芯片包括双倍速率同步动态随机存储器。

在一些实施例中，所述第一测试激励对应的测试功能包括以下至少一项：读操作功能，写操作功能，读写操作功能、自刷新功能、刷新功能、阻抗校准功能以及掉电预充电功能。