[发明专利]芯片测试方法、装置、设备及介质在审
| 申请号: | 202210785358.4 | 申请日: | 2022-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN115171767A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
| 发明(设计)人: | 史丹丹 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/10 | 分类号: | G11C29/10;G11C29/12 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张芳;臧建明 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 测试 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种芯片测试方法,其特征在于,包括:
提供第一测试激励,根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点;其中,所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息;
根据所述激励时间点,确定所述第一测试激励的起始时间点;
加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片;
提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点,包括:
根据所述第一测试激励的测试属性和所述公共状态表,将与所述测试属性匹配的公共状态信息,作为所述第一测试激励对应的公共状态信息;
根据所述第一测试激励的测试属性,确定所述第一测试激励对应的激励时间点;其中,所述测试属性包括以下至少一项:激励频率、工艺角以及测试功能。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
分别针对具有不同测试属性的不同激励,在所述激励下对所述芯片进行仿真,并提取仿真不同时间后所述芯片的公共状态信息,存储至所述公共状态表。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下完成模式寄存器的配置时的各公共状态信息和/或所述芯片在不同激励下完成延迟锁相环参数的配置后的各公共状态信息。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
检测模式寄存器设置功能是否正常;
所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点,包括:
若模式寄存器设置功能正常,则根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述检测模式寄存器设置功能是否正常,包括:
根据第二测试激励,对所述芯片进行测试,所述第二测试激励包括模式寄存器设置指令;
若所述模式寄存器设置指令的解码正确,则判定模式寄存器设置功能正常。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据第三测试激励,检测延迟锁相环完成锁定时钟所需的时长是否超过预定的阈值;
所述根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点,包括:
若所述时长未超过所述阈值,则根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法,其特征在于,所述芯片包括双倍速率同步动态随机存储器。
9.根据权利要求1-7任一项所述的方法,其特征在于,所述第一测试激励对应的测试功能包括以下至少一项:读操作功能,写操作功能,读写操作功能、自刷新功能、刷新功能、阻抗校准功能以及掉电预充电功能。
10.一种芯片测试装置,其特征在于,包括:
确定模块,用于提供第一测试激励,根据所述第一测试激励和公共状态表确定所述第一测试激励对应的公共状态信息和激励时间点;其中,所述公共状态表存储有所述芯片在不同激励下仿真不同时间后的各公共状态信息;
所述确定模块,还用于根据所述激励时间点,确定所述第一测试激励的起始时间点;
加载模块,用于加载所述第一测试激励对应的公共状态信息至所述芯片;
仿真模块,用于提供所述起始时间点后的所述第一测试激励对所述芯片进行仿真。
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