[发明专利]提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺

说明书

本发明公开了一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，由成膜机程序控制进入；第三镀膜室由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的取值电压设置为恒定值。本发明的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，可以提高生产效率，使制损率降低，同时电压、膜层品质稳定。

技术领域

本发明属于触摸屏生产工艺技术领域，具体地说，本发明提供了一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺。

背景技术

触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是简单、方便、自然的一种人机交互方式。其中以电容屏最为活跃，电容屏是利用人体的电流感应进行工作的，在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质，当有导电物体触碰时，就会改变触点的电容，从而可以探测出触摸的位置。

电容屏中OGS(One glass solution)产品因其成本低成为热门，但良率一直较低，主要不良为静电击伤。经过设计优化，在触摸屏的ITO膜层下设置一层OC绝缘层或ITO膜层上镀一层SIO₂(二氧化硅镀)膜层，OC绝缘层位于BM层上，可以解决此异常提升良率。但是对SIO₂膜层的膜厚要求较高，SIO₂膜层的膜厚要求达到800±100A。同时生产时需降低镀膜速度为0.6m/min。主要是由于现有设备能力不足且BM和OC材料会逸出杂气引起电压不稳定，进而导致镀膜传动速度慢，溅镀功率大，制损率高，生产效率低，生产成本较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，目的是提高生产效率。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，并由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的电压设置为恒定值。

所述第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室为依次布置。

所述第一镀膜室中设置第一靶材箱体，所述第一对SI靶设置于第一靶材箱体内所述第二镀膜室中设置第二靶材箱体，所述第二对SI靶设置于第二靶材箱体内；所述第三镀膜室中设置第三靶材箱体，所述第三对SI靶设置于第三靶材箱体内；所述第三镀膜室设置气体反应控制器，所述气体反应控制器设置于第三镀膜室外部顶上。

通过设置多个氧气管道向第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中通入氧气，并设置流量计监测氧气管道的氧气流量。

所述氧气管道设置三个，三个氧气管道分别为第一氧气管道、第二氧气管道和第三氧气管道，设置第一流量计监测第一氧气管道的氧气流量，设置第二流量计监测第二氧气管道的氧气流量，设置第三流量计监测第三氧气管道的氧气流量。

通过设置多个氮气管道向第一镀膜室中通入氮气，并设置流量计监测氮气管道的氮气流量。

所述氮气管道设置三个，三个氮气管道分别为第一氮气管道、第二氮气管道和第三氮气管道，设置第四流量计监测第一氮气管道的氮气流量，设置第五流量计监测第氮气管道的氮气流量，设置第六流量计监测第三氮气管道的氮气流量。

所述第一镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第二镀膜室中通入的氧气的流量，所述第二镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第三镀膜室中通入的氧气的流量。

所述第一镀膜室中通入的Ar气的流量与所述第二镀膜室和所述第三镀膜室中通入的Ar气的流量相同。

所述第一对SI靶的电源设定功率与所述第二对SI靶的电源设定功率相同，且大于所述第三对SI靶的电源设定功率。