[发明专利]提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺在审
| 申请号： | 202210768113.0 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115074682A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 张杨;陈浩浩;郑建军;余志辉;钟素文;余伟平 | 申请（专利权）人： | 芜湖长信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/10;C23C14/54;C03C17/36 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241009 安徽省芜湖市中国*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 触摸屏 高膜厚 二氧化硅 镀膜 效率 工艺 | ||
1.提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，并由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的电压设置为恒定值。
2.根据权利要求1所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室为依次布置。
3.根据权利要求1所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室中设置第一靶材箱体，所述第一对SI靶设置于第一靶材箱体内；所述第二镀膜室中设置第二靶材箱体，所述第二对SI靶设置于第二靶材箱体内；所述第三镀膜室中设置第三靶材箱体，所述第三对SI靶设置于第三靶材箱体内；所述第三镀膜室设置气体反应控制器，所述气体反应控制器设置于第三镀膜室外部顶上。
4.根据权利要求3所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，通过设置多个氧气管道向第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中通入氧气，并设置流量计监测氧气管道的氧气流量。
5.根据权利要求4所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述氧气管道设置三个，三个氧气管道分别为第一氧气管道、第二氧气管道和第三氧气管道，设置第一流量计监测第一氧气管道的氧气流量，设置第二流量计监测第二氧气管道的氧气流量，设置第三流量计监测第三氧气管道的氧气流量。
6.根据权利要求3所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，通过设置多个氮气管道向第一镀膜室中通入氮气，并设置流量计监测氮气管道的氮气流量。
7.根据权利要求6所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述氮气管道设置三个，三个氮气管道分别为第一氮气管道、第二氮气管道和第三氮气管道，设置第四流量计监测第一氮气管道的氮气流量，设置第五流量计监测第氮气管道的氮气流量，设置第六流量计监测第三氮气管道的氮气流量。
8.根据权利要求1至7任一所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第二镀膜室中通入的氧气的流量，所述第二镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第三镀膜室中通入的氧气的流量。
9.根据权利要求8所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室中通入的Ar气的流量与所述第二镀膜室和所述第三镀膜室中通入的Ar气的流量相同。
10.根据权利要求8所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一对SI靶的电源设定功率与所述第二对SI靶的电源设定功率相同，且大于所述第三对SI靶的电源设定功率。
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