[发明专利]晶圆加工方法、装置和晶圆加工设备在审
申请号: | 202210756324.2 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN115101448A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 李长坤;赵德文;路新春 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300350 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 装置 设备 | ||
1.一种晶圆加工方法,其特征在于,包括:
利用设置于晶圆两侧的两个清洗刷对晶圆表面进行滚动刷洗,其中,所述两个清洗刷以相反方向滚动,使喷在晶圆表面的新鲜清洗液随着晶圆旋转,更多的被带入到晶圆与清洗刷相对速度大的第一区域,实现污染物的有效去除;
利用位于晶圆上方的用于约束晶圆的限位辊轮配合其余辊轮支撑晶圆并驱动晶圆在竖直面内旋转。
2.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述限位辊轮连接直驱电机以进行伸缩从而夹紧或避开晶圆。
3.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,从所述清洗刷的进液端看过去,所述晶圆向上转动。
4.如权利要求3所述的晶圆加工方法,其特征在于,从所述清洗刷的进液端看过去,位于晶圆左侧的清洗刷逆时针旋转,位于晶圆右侧的清洗刷顺时针旋转。
5.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域,所述清洗液相对于晶圆表面的供给角度为5°~30°。
6.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述晶圆的转速为20~200rpm。
7.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,还包括:
当晶圆放置在位于其下方的支撑辊轮上之后,控制顶部的限位辊轮伸出以固定晶圆;
使晶圆旋转,并控制两个清洗刷在第一相对方向和第二相对方向之间切换。
8.如权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,还包括:
检测清洗刷的污染程度,当清洗刷的污染程度达到一定程度后,对清洗刷进行清洗。
9.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
供液组件,用于将清洗液供给至晶圆表面的上部区域;
两个清洗刷,分别设置于晶圆的两侧并对晶圆表面进行滚动刷洗,其中,所述两个清洗刷以相反方向滚动,使喷在晶圆表面上的新鲜清洗液,随着晶圆旋转,更多的被带入到晶圆与清洗刷相对速度大的第一区域,实现污染物的有效去除;
清洗刷驱动机构,用于支撑清洗刷并驱动清洗刷移动和转动;
晶圆旋转组件,用于支撑晶圆并驱动晶圆在竖直面内旋转,其包括位于晶圆上方的用于约束晶圆的限位辊轮;
以及带动所述限位辊轮沿特定轨迹往复运动的连接臂。
10.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述限位辊轮连接直驱电机以进行伸缩从而夹紧或避开晶圆。
11.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,从所述清洗刷的进液端看过去,所述晶圆向上转动,位于晶圆左侧的清洗刷逆时针旋转,位于晶圆右侧的清洗刷顺时针旋转。
12.如权利要求10所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述供液组件将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域,所述清洗液相对于晶圆表面的供给角度为5°~30°。
13.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆的转速为20~200rpm。
14.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆旋转组件还包括主动辊轮和从动辊轮,主动辊轮和从动辊轮设置于晶圆下方。
15.如权利要求14所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述主动辊轮和从动辊轮配置有沿辊体的外周侧设置的卡槽。
16.如权利要求14所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述从动辊轮上设置有用于检测晶圆转速的转速传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造