[发明专利]芯片内部供电电路及其控制方法在审
申请号: | 202210736484.0 | 申请日: | 2022-06-27 |
公开(公告)号: | CN115051564A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 严慧婕;沈灵;蒋宇;任永旭;王岳峰 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M3/157;H02M1/00 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 内部 供电 电路 及其 控制 方法 | ||
本发明提供了一种芯片内部供电电路及其控制方法,所述芯片内部供电电路包括:包括:供电模块、判决电路和逻辑链路;所述供电模块接收第一输入电压,所述逻辑链路接收第二输入电压;所述判决电路输出判决结果;所述供电模块根据第一使能信号输出所述第一输入电压,以作为芯片内部供电电路的输出电压;所述逻辑链路根据第二使能信号和所述判决结果,输出所述第二输入电压或电源电压,以作为所述芯片内部供电电路的输出电压。本发明通过切换所述芯片内部供电电路的输出电压,在保证提供的电源的精度的情况下,缩小芯片内部供电电路的规模,并降低功耗。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种芯片内部供电电路及其控制方法。
背景技术
目前芯片内部电路的供电方式有两种:一种是芯片内部采用低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)进行电路供电;另一种是芯片连接外部电源对芯片内部电路进行供电,具体是外部电源通过芯片上的输入端口或输出端口与芯片内部电路的电源输入端连接以实现对芯片内部电路的供电。由于外部电源的电压不能超过芯片内部负载的耐压,所以外部电源的供电范围有限,兼容性差。而LDO产生的电源电压精度虽然高,但是其电路规模较大,产生的功耗高。
因此,本发明提出了一种芯片内部供电电路及其控制方法,在保证提供的电源的精度的情况下,缩小芯片内部供电电路的规模。
发明内容
本发明提出了一种芯片内部供电电路及其控制方法,在保证提供的电源的精度的情况下,缩小芯片内部供电电路的规模,并降低功耗。
第一方面,本发明提供一种芯片内部供电电路,包括:供电模块、判决电路和逻辑链路;所述供电模块接收第一输入电压,所述逻辑链路接收第二输入电压;所述供电模块电连所述逻辑链路,所述逻辑链路还电连所述判决电路,所述判决电路输出判决结果;所述供电模块接收第一使能信号,并根据所述第一使能信号输出所述第一输入电压,以作为芯片内部供电电路的输出电压;所述逻辑链路接收第二使能信号和所述判决结果,并根据所述第二使能信号和所述判决结果,输出所述第二输入电压或所述电源电压,以作为所述芯片内部供电电路的输出电压。
其有益效果在于:本发明通过所述芯片内部供电电路包括供电模块、判决电路和逻辑链路,减小了所述芯片内部供电电路的规模;通过所述芯片内部供电电路的输出电压能够根据所述第一使能信号、所述第二使能信号和所述判决结果进行切换,以减小功耗。
进一步可选地,所述判决电路包括:第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管和第一电流源电路;所述第一P型晶体管的源极接收所述电源电压,所述第一P型晶体管的栅极接入所述第二使能信号的反相信号,所述第二P型晶体管的源极连接所述第三P型晶体管的源极,所述第一P型晶体管的漏极连接所述第二P型晶体管的源极和所述第三P型晶体管的源极;所述第二P型晶体管的栅极接入控制电压,所述第二P型晶体管的漏极连接所述第一N型晶体管的漏极;所述第三P型晶体管的栅极接入所述控制电压,所述第三P型晶体管的漏极连接所述第二N型晶体管的漏极;所述控制电压用于使得所述第二P型晶体管工作在饱和区,且所述第三P型晶体管工作在线性区;所述第一N型晶体管的栅极接收所述第二使能信号,所述第一N型晶体管的源极连接所述第一电流源电路的输出端;所述第二N型晶体管的栅极接收所述第二使能信号,所述第二N型晶体管的源极连接所述第一电流源电路的输入端,所述第一电流源电路的输出端接地。
又进一步可选地,所述逻辑链路包括:第一开关、第二开关;所述第一开关电连所述第二开关。
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