[发明专利]一种相位干涉电场提升运动功能和工作记忆的干预方法

说明书

本发明公开了一种相位干涉电场提升运动功能和工作记忆的干预方法，包括以下步骤：S1，分别确定初级运动皮层和右侧额顶叶，即10‑20系统脑电定位帽上的FC3，以FC3为中心，两路交流电电极位置分别为F5/C5、F1/C1和10‑20系统脑电定位帽上F4，P4，分别以F4，P4为中心，平行于10‑20系统的Fpz‑Oz、T7‑T8放置四个电极，电极之间的距离为5厘米。S2，提升运动功能的变频TI信号每分钟改变一次，两路交流电的频率被假定为2kHz和2.005kHz，2kHz和2.01kHz，2kHz和2.02kHz，2kHz和2.025kHz，……，以及2kHz和2.04kHz，以便在目标区域产生5、10、15、20、25、30、35、40Hz的包络频率；提升工作记忆的固定TI信号频率分别为2kHz及2.006kHz，产生6Hz的包络频率，具有可以有效刺激提升运动皮层兴奋性及工作记忆的功能。

技术领域

本发明涉及经颅电刺激技术领域，尤其涉及一种相位干涉电场刺激提升运动功能和工作记忆的干预方法。

背景技术

相位干涉电场刺激是指频率在kHz范围内稍有不同的两个电场E1、E2输送至脑，其中，kHz级别的电场不会使神经元被激发放电，而两电场可以在深部脑区形成一个频率差值为[Δf＝E1(f+Δf)-E2(f)]的包络波，这一低频的包络波足以激发选定区域的神经元活动，且不影响临近和上层覆盖组织。

运动皮层是大脑皮层中参与计划、控制和执行自主运动的区域。而初级运动皮层是大脑产生神经冲动的主要部位，这些神经冲动向下传递到脊髓，控制着人体运动的执行。电刺激该部位会引起运动反应。许多研究认为对初级运动皮层施加经颅电刺激有助于提升竞技体育运动表现水平，增强大脑与肌肉的联结。

工作记忆是指在进行推理、理解和学习等复杂认知任务中，大脑对信息临时存储和加工的一种能力，它是各种高级认知功能的基础，许多疾病的发生与工作记忆障碍密切相关。例如，在精神分裂症患者中，工作记忆功能障碍与更广泛的认知障碍有关，严重影响患者生活，同时，工作记忆能力的提升可以增强健康人在需要更加复杂思维和行动任务时的表现，不仅如此，工作记忆能力是决策的核心信息得以加工的重要保障，也是运动员适应复杂多变环境和灵敏协调反应的关键核心。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有传统经颅交流电技术运用过程中的不足，而提出的一种通过相位干涉电场刺激提升运动皮层兴奋性和工作记忆的干预方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种相位干涉电场刺激提升运动功能的干预方法，包括以下步骤：

S1，确定初级运动皮层，即10-20系统脑电定位帽上的FC3，以FC3为中心，两路交流电电极位置分别为F5/C5、F1/C1；

S2，提升运动皮层兴奋性的变频TI信号每分钟改变一次，两路交流电的频率被假定为2kHz和2.005kHz，2kHz和2.01kHz，2kHz和2.02kHz，2kHz和2.025kHz，.....，以及2kHz和2.04kHz，以便在目标区域产生5、10、15、20、25、30、35、40Hz的包络频率；

S3，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，单路电流峰峰值均为2mA。

一种相位干涉电场刺激提升工作记忆的干预方法，包括以下步骤：

S1，确定右侧额叶和顶叶的位置，即10-20系统脑电定位帽上F4，P4。分别以F4，P4为中心，平行于10-20系统的Fpz-Oz、T7-T8放置四个电极，电极之间的距离为5厘米；

S2，围绕F4和P4两路交流电的电极竖直平行放置，频率分别为2kHz及2.006kHz,产生6Hz的包络频率；

S3，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，单路电流强度均为2mA。

本发明具有以下有益效果：