[发明专利]一种相位干涉电场提升运动功能和工作记忆的干预方法在审
| 申请号： | 202210734692.7 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115154898A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘宇 | 申请（专利权）人： | 张家口映雪科技有限公司 |
| 主分类号： | A61N1/36 | 分类号： | A61N1/36;A61N1/04 |
| 代理公司： | 上海璀汇知识产权代理事务所(普通合伙) 31367 | 代理人： | 程琼胤 |
| 地址： | 076281 河北省张家口市河北张家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相位 干涉 电场 提升 运动 功能 工作 记忆 干预 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种相位干涉电场刺激(TI)提升运动功能的干预方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，确定初级运动皮层的位置，即10-20系统脑电定位帽上的FC3，以FC3为中心，两路交流电电极位置分别为F5/C5、F1/C1；
S2，提升运动皮层兴奋性的变频TI信号每分钟改变一次，两路交流电的频率被假定为2kHz和2.005kHz，2kHz和2.01kHz，2kHz和2.02kHz，2kHz和2.025kHz，.....，以及2kHz和2.04kHz，以便在目标区域产生5、10、15、20、25、30、35、40Hz的包络频率；
S3，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，单路电流峰峰值均为2mA。
2.一种相位干涉电场刺激(TI)提升工作记忆的干预方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，确定右侧额叶和顶叶的位置，即10-20系统脑电定位帽上F4，P4。分别以F4，P4为中心，平行于10-20系统的Fpz-Oz、T7-T8放置四个电极，电极之间的距离为5厘米；
S2，围绕F4和P4两路交流电的电极竖直平行放置，频率分别为2kHz及2.006kHz，产生6Hz的包络频率；
S3，相位干涉电场刺激单次持续时间均为20分钟，单路电流强度均为2mA。
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