[发明专利]一种基于超结MOSFET的功率模块、变频驱动器及空调

权利要求书

1.一种基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，包括：

同步整流单元，与交流电源连接；所述同步整流单元用以对输入电压进行整流、对输入电流进行相位调节，并输出直流电；

逆变桥单元，其输入端与所述同步整流单元的输出端连接，所述逆变桥单元用于将同步整流单元输出的直流电逆变为频率和幅值可变的交流电；

所述同步整流单元和逆变桥单元相集成。

2.根据权利要求1所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，还包括驱动单元，其与所述同步整流单元和逆变桥单元均连接；所述驱动单元用于对所述同步整流单元和逆变桥单元进行驱动和保护。

3.根据权利要求2所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，所述同步整流单元包括第一至第四场效应管；

其中，第一场效应管的源极与交流电源、第三场效应管的漏极均连接，所述第一场效应管的漏极与第二场效应管的漏极连接；

所述第二场效应管的源极与交流电源、第四场效应管的漏极均连接，所述第四场效应管的源极与第三场效应管的源极连接；

所述第一至第四场效应管的门极均与所述驱动单元连接。

4.根据权利要求3所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，所述逆变桥单元包括第五至第十场效应管；

其中，第五场效应管的漏极与所述第二场效应管的漏极、第七场效应管的漏极均连接，第五场效应管的源极与第六场效应管的漏极连接；所述第六场效应管的源极与第八场效应管的源极连接，所述第八场效应管的漏极与第七场效应管的源极连接；

第九场效应管的漏极与第七场效应管的漏极连接，所述第九场效应管的源极与第十场效应管的漏极连接，第十场效应管的源极与第八场效应管的源极连接。

5.根据权利要求4所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，所述第五至第十场效应管的门极均与所述驱动单元连接。

6.根据权利要求4所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，所述第一场效应管至第十场效应管相集成。

7.根据权利要求4所述的基于超结MOSFET的功率模块，其特征在于，所述第一场效应管至第十场效应管均为超结场效应管。

8.一种变频驱动器，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的基于超结MOSFET的功率模块。

9.根据权利要求8所述的变频驱动器，其特征在于，还包括：

采样模块，用于对输入电流、输入交流电压和直流母线电压进行采样，并生成采样信号；

控制模块，其输入端与所述采样模块的输出端连接；所述控制模块对所述采样模块输出的采样信号进行处理，并生成动作信号；

所述控制模块的输出端与所述功率模块的输入端连接，所述功率模块输出端与外部负载连接以驱动所述外部负载动作。

10.一种空调，其特征在于，包括如权利要求8-9任一项所述的变频驱动器。