[发明专利]有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202210686713.2 申请日: 2022-06-16
公开(公告)号: CN114927629A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 王涛;孙韬;崔越 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 蒋冬梅;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 面板 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管面板,其特征在于,包括:

基板;

设于所述基板上的发光结构层;

设于所述发光结构层远离所述基板一侧的封装层;以及

位于所述封装层内的调光结构;

其中,所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分,所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的折射率与所述封装层的折射率不同。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述封装层包括向着远离所述基板方向依次设置的第一无机层、第一有机层和第二无机层;

所述调光结构位于所述第一无机层与所述第一有机层之间,所述调光结构的折射率与所述第一无机层和所述第一有机层的折射率不同。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的材料为无机材料。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的材料包括以下至少一种:氮氧化硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛。

6.如权利要求3所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的折射率大于所述第一无机层的折射率。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述第一无机层的折射率范围为1.65至1.80,所述调光结构的折射率范围为1.75至2.0。

8.如权利要求1至7任一所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述发光结构层包括:

在所述基板上周期性排布的多个发光单元;以及

像素定义层,设有多个像素开口,所述像素开口至少暴露出所述发光单元的发光区域的部分;其中,所述调光结构在所述基板的正投影与所述像素定义层在所述基板的正投影存在交叠。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构在所述基板的正投影覆盖所述像素定义层在所述基板的正投影。

10.如权利要求8所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁与所述基板所在平面之间的夹角大于或等于70度,且小于或等于90度。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述调光结构的靠近所述发光区域的侧壁包括:相互连接的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁位于所述第二侧壁远离所述基板的一侧;所述第一侧壁与所述基板所在平面之间的夹角小于所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述第二侧壁与所述基板所在平面之间的夹角为90度。

13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至12任一所述的有机发光二极管面板。

14.一种有机发光二极管面板的制备方法,其特征在于,包括:

在基板上形成发光结构层;

在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层;

其中,所述在所述发光结构层远离所述基板一侧形成封装层包括在所述封装层内形成调光结构,所述调光结构在所述基板上的正投影至少暴露出所述发光结构层的发光区域的部分,所述调光结构设置为调节所述发光结构层射出光的方向。

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