[发明专利]一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统

说明书

本申请公开了一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统，包括：若干清洗装置，每个清洗装置设有用于清洗晶圆的清洗槽；供液装置，存储用于清洗晶圆的清洗液；以及，阀门分配箱，包括总管接口以及若干分管接口，总管接口通过供液总管与供液装置连通，分管接口通过供液分管与清洗装置一一对应连通。供液装置通过阀门分配箱与清洗装置连通，利用阀门分配箱的分流作用供液装置中的清洗液分流，实现清洗液从单一来源分配到若干清洗装置，并且可以对分流至每个清洗装置中的清洗液单独地进行调控，满足每个清洗装置的个别应用需求，使用于化学机械抛光工艺的清洗系统的供给压力和供给流量更稳定，避免了各清洗装置之间的彼此影响，提高了清洗装置的清洗效果。

技术领域

本申请属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统。

背景技术

晶圆是制作半导体电路所用的晶片，半导体制造过程中如果遭到颗粒、有机物、金属等污染，很容易造成晶圆内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致半导体器件的失效。因此在半导体制造过程中，需要在化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺后进行清洗以去除污染物。清洗是在不破坏晶圆表面特性和电特性的前提下，有效地使用化学溶液对残留在晶圆上的微尘、金属离子及有机物进行清理的过程。

相关技术中，清洗系统的一个供液装置往往供应两个以上的清洗装置，供液装置通过主管路与分管路连通，进而通过分管路与清洗装置连通，该清洗系统对主管路的供给压力要求较高，导致供给压力和流量稳定性不好、各清洗装置之间彼此影响，进而影响清洗效果。

发明内容

本申请旨在至少能够在一定程度上解决清洗系统对主管路的供给压力要求高，导致供给压力和流量稳定性不好、各清洗装置之间彼此影响，影响清洗效果的技术问题。为此，本申请提供了一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统。

本申请实施例提供的一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统，所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统包括：

若干清洗装置，每个所述清洗装置设有用于清洗晶圆的清洗槽；

供液装置，存储用于清洗晶圆的清洗液；以及，

阀门分配箱，包括总管接口以及若干分管接口，所述总管接口通过供液总管与所述供液装置连通，所述分管接口通过供液分管与所述清洗装置一一对应连通。

在一些实施方式中，每个所述供液分管上设有流量计。

在一些实施方式中，每个所述供液分管上设有控制阀。

在一些实施方式中，所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括：若干循环回液管，连通所述清洗装置与所述供液装置。

在一些实施方式中，所述供液总管上设有浓度检测器。

在一些实施方式中，所述供液总管上设有过滤器。

在一些实施方式中，所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括：若干清洗废液排出管，与所述清洗装置一一对应连通。

在一些实施方式中，所述清洗装置还包括设置在所述清洗槽中的喷淋组件，所述喷淋组件与所述供液分管连通。

在一些实施方式中，所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括：控制组件，分别与所述流量计、所述控制阀以及浓度检测器信号连接。

本申请实施例至少具有如下有益效果：

上述用于化学机械抛光工艺的清洗系统中，供液装置通过阀门分配箱与清洗装置连通，利用阀门分配箱的分流作用供液装置中的清洗液分流，实现清洗液从单一来源分配到若干清洗装置，并且可以对分流至每个清洗装置中的清洗液单独地进行调控，满足每个清洗装置的个别应用需求，使用于化学机械抛光工艺的清洗系统的供给压力和供给流量更稳定，避免了各清洗装置之间的彼此影响，提高了清洗装置的清洗效果。