[发明专利]一种红外三波峰膜系结构及其制备工艺

说明书

本发明涉及滤光片技术领域，且公开了一种红外三波峰膜系结构，其特征在于：包括基板、第一匹配膜系、主膜膜系、第二匹配膜系；所述主膜膜系依次由第一多层膜通带、耦合层、多层膜长波通带、耦合层、第二多层膜通带、第三多层膜通带组成。本发明公开了一种红外三波峰膜系，使其满足入射角在0°‑30°时折射偏移＜12nm的要求。

技术领域

本发明涉及滤光片镀膜技术领域，具体为一种红外三波峰膜系结构及其制备工艺。

背景技术

由于市面上的红外产品，类似于红外监控设备的需求量增大，以及目前红外设备在市场上的单一性，红外三波峰可使红外设备加强接受效率和方便切换。目前市场需求入射角在0°-30°时折射偏移＜12nm的红外三波峰。但是还没有符合条件的此类产品。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种红外三波峰膜系结构及其制备工艺。

(二)技术方案

一种红外三波峰膜系结构，包括基板、第一匹配膜系、主膜膜系、第二匹配膜系；所述主膜膜系依次由第一多层膜通带、耦合层、多层膜长波通带、耦合层、第二多层膜通带、第三多层膜通带组成，第一多层膜通带为3个的2H1.5L2H组成，耦合层为0.5L，多层膜长波通带为3个的2HL2H组成，第二多层膜通带为8个的2H0.5L组成，第三多层膜通带为6个的2H1.5L组成；第一匹配膜系为L 2.2H 0.3L；第二匹配膜系为2H1.5L；

其中H指氢化硅，L指氧化硅，数值指的是氢化硅或氧化硅四分之一波长的倍数，氢化硅的折射率在940nm时为3.6-3.7，氧化硅的折射率在940nm时为1.47-1.48。如1.5L是指氧化硅的1/4波长的1.5倍。

一种红外三波峰膜系结构的制备工艺，包括如下步骤：

1)底盘公转速度为180rpm，腔体温度为180℃，镀膜氢化硅，开启光控，镀膜功率为2000W到8500W，提升为3s，靶材充气，30-45sccmΑr，提升3s，15-25sccm H₂，提升5s，制备出折射率在940nm时为3.6-3.7的氢化硅；

2)底盘公转速度为180rpm，腔体温度为180℃，镀膜氧化硅，开启光控同时离子源为开启状态，离子源功率为500-1600W，提升3s，镀膜功率为2000W，提升3s，离子源充气：20-25sccmΑr，提升2s，靶材充气：25-35sccmΑr，提升3s，10-15sccm O₂，提升3s，制备出折射率在940nm时为1.47-1.48的氧化硅；

3)依次对膜层进行速率控制，制备相应厚度的膜层。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明以下有益效果：

发明了一种红外三波峰膜系，使其满足入射角在0°-30°时折射偏移＜12nm的要求。

附图说明

图1本发明的偏移量测试数据。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

一种红外三波峰膜系结构，如下：

基板：L2.2H0.3L(2H1.5L2H)^3 0.5L(2HL2H)^3 0.5L(2H0.5L)^8(2H1.5L)^6L2H1.5L空气