[发明专利]一种红外三波峰膜系结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 202210664611.0 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115128721A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王刚;葛志文;翁钦盛 | 申请（专利权）人： | 浙江美迪凯光学半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司： | 浙江新篇律师事务所 33371 | 代理人： | 龚玉平 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 波峰 结构 及其 制备 工艺 | ||
1.一种红外三波峰膜系结构，其特征在于：包括基板、第一匹配膜系、主膜膜系、第二匹配膜系；所述主膜膜系依次由第一多层膜通带、耦合层、多层膜长波通带、耦合层、第二多层膜通带、第三多层膜通带组成，第一多层膜通带为3个的2H1.5L2H组成，耦合层为0.5L，多层膜长波通带为3个的2HL2H组成，第二多层膜通带为8个的2H0.5L组成，第三多层膜通带为6个的2H1.5L组成；第一匹配膜系为L 2.2H 0.3L；第二匹配膜系为2H1.5L；
其中H指氢化硅，L指氧化硅，数值指的是氢化硅或氧化硅四分之一波长的倍数，氢化硅的折射率在940nm时为3.6-3.7，氧化硅的折射率在940nm时为1.47-1.48。
2.权利要求1所述的一种红外三波峰膜系结构的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：
1)底盘公转速度为180rpm，腔体温度为180℃，镀膜氢化硅，开启光控，镀膜功率为2000W到8500W，提升为3s，靶材充气，30-45sccmΑr，提升3s，15-25sccm H2，提升5s，制备出折射率在940nm时为3.6-3.7的氢化硅；
2)底盘公转速度为180rpm，腔体温度为180℃，镀膜氧化硅，开启光控同时离子源为开启状态，离子源功率为500-1600W，提升3s，镀膜功率为2000W，提升3s，离子源充气：20-25sccmΑr，提升2s，靶材充气：25-35sccmΑr，提升3s，10-15sccm O2，提升3s，制备出折射率在940nm时为1.47-1.48的氧化硅；
3)依次对膜层进行速率控制，制备相应厚度的膜层。
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