[发明专利]一种MOS管工作电路及电子设备在审
| 申请号： | 202210650194.4 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114744988A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 宗强;方芳;刘准;吴寿化 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王燕 |
| 地址： | 518024 广东省深圳市罗湖区清水*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 工作 电路 电子设备 | ||
1.一种MOS管工作电路，其特征在于，包括耗尽型MOS管、增强型MOS管、封装桥接线及抗干扰组件；
所述耗尽型MOS管及所述增强型MOS管为合封的两MOS管；
所述耗尽型MOS管的漏极与所述增强型MOS管的源极用于连接外部电通路；所述增强型MOS管的栅极用于连接控制端；
所述耗尽型MOS管在所述增强型MOS管导通的场合，也处于导通状态；
所述耗尽型MOS管的源极与所述增强型MOS管的漏极通过封装桥接线电连接，且所述封装桥接线包括抗干扰引出端；
所述抗干扰引出端与所述抗干扰组件电连接。
2.如权利要求1所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述抗干扰组件包括电容及电阻中的至少一种。
3.如权利要求2所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述抗干扰组件包括串接的电容与电阻。
4.如权利要求1所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述耗尽型MOS管的栅极接地。
5.如权利要求1所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述耗尽型MOS管的栅极与所述增强型MOS管的源极电连接。
6.如权利要求1所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述封装桥接线为基板上的印制线路。
7.如权利要求1至6任一项所述的MOS管工作电路，其特征在于，所述耗尽型MOS管为耗尽型氮化镓管。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至7任一项的MOS管工作电路。
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