[发明专利]一种mini-LED芯片及制备方法

说明书

本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体发光二极管技术领域，更具体地说，涉及一种mini-LED芯片及制备方法。

背景技术

随着技术发展，作为半导体发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)在显示上的一个重要应用，小间距显示逐渐走向成熟。传统的小间距显示由于像素间距的影响以及分立器件的固有缺陷，依然存在显示视距不足、摩尔纹等现象，为满足人们不断追求显示效果的需求，以及进一步扩展应用领域，小间距显示在往更小点间距发展的道路上不断前进，这就意味着芯片的尺寸不断减小。由于mini-LED能够避免原有芯片的种种缺陷，成为了更小点间距的唯一选择，同时也成为近两年业界研究的热点。

随着mini-LED芯粒尺寸缩小，透明导电层与P型GaN层的接触面积也逐渐缩小，若透明导电层与P型GaN层的欧姆接触不良或致密性不足，将会导致局部热量散不出去，从而产生较大的热效应致使透明导电层区域击穿，即抗静电(Electro-Static discharge，简称ESD)能力较弱，进而导致芯片的可靠性降低。

此外mini-LED芯片中DBR膜层采用离子辅助镀膜，其为脆性材料，台阶覆盖性差，薄膜沉积时膜层应力大，对水汽隔绝效果差，在室外应用中易出现膜层分层，水汽侵蚀电极及透明导电层易导致芯片失效。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种mini-LED芯片及制备方法，技术方案如下：

所述mini-LED芯片包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的外延层；所述外延层包括在第一方向上依次堆叠设置的N型层、有源层以及P型层；

位于所述P型层背离所述衬底一侧的复合透明导电层，所述复合透明导电层包括在所述第一方向上依次堆叠设置的欧姆接触层、第一透明导电层、第二透明导电层以及纳米层；

所述第一方向垂直于所述衬底所在平面，且由所述衬底指向所述复合透明导电层。

可选的，在上述mini-LED芯片中，所述欧姆接触层的厚度为150埃-300埃；

所述第一透明导电层的厚度为200埃-400埃；

所述第二透明导电层的厚度为200埃-2000埃；

所述纳米层的厚度为10埃-100埃。

可选的，在上述mini-LED芯片中，所述欧姆接触层的材料为IWO材料；

所述第一透明导电层的材料为ITO材料；

所述第二透明导电层的材料为ITO材料；

所述纳米层的材料为Ti材料。

可选的，在上述mini-LED芯片中，所述mini-LED芯片还包括：

位于所述复合透明导电层背离所述衬底一侧的复合DBR反射层；所述复合DBR反射层包括在所述第一方向上堆叠设置的刻蚀截止层以及第一叠层；