[发明专利]一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版

说明书

本申请公开了一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，涉及半导体制造技术领域，本申请的掩膜版缺陷的修复方法，包括依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到遮光层上的遮光缺陷区；对遮光缺陷区制冷处理；采用激光镭射遮光缺陷区，使得遮光缺陷区的材料分解形成残渣；对掩膜版进行清洗以去除残渣。本申请提供的掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，能够提高掩膜版的修复效率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版。

背景技术

掩膜版，业内又称为光罩或掩模板，该产品是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻，是IC制作的过程中必不可少的工具。

掩膜版的生产过程包含了显影、蚀刻等化学过程，由于制程、材料、环境等因素，掩膜版产品在蚀刻后会产生的一定数量的缺陷。根据掩膜版行业标准，一般会将这些缺陷分为黑缺陷和白缺陷两类，其中黑缺陷包含铬残留、线条短接等。现有技术中，黑缺陷的修补通常采用激光修打的方式，即用一定波长和能量的激光，与设计图形对比，将多余的铬图形打掉，实现掩膜版的修复。但是，在激光修打多余的铬图形时，金属铬分解形成残渣，由于激光修打时激光能量较高，使得多余的铬图形在分解时中会产生高温的残渣，高温的残渣容易与衬底黏连，并且在后续冷却后的清洗残渣时不易去除，需要再做二次修打，从而降低掩膜版缺陷的修复效率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，能够提高掩膜版的修复效率。

本申请的实施例一方面提供了一种掩膜版缺陷的修复方法，包括依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到遮光层上的遮光缺陷区；对遮光缺陷区制冷处理；采用激光镭射遮光缺陷区，使得遮光缺陷区的材料分解形成残渣；对掩膜版进行清洗以去除残渣。

作为一种可实施的方式，对遮光缺陷区制冷处理包括：对包括遮光缺陷区的掩膜版制冷处理。

作为一种可实施的方式，对遮光缺陷区制冷处理包括：使用制冷气体吹扫遮光缺陷区或包括遮光缺陷区的掩膜版，制冷气体的温度在-4℃-4℃之间。

作为一种可实施的方式，制冷气体为二氧化碳。

作为一种可实施的方式，对包括遮光缺陷区的掩膜版制冷处理包括：将掩膜版设置温度在-2℃-4℃之间的环境中放置预设时间。

作为一种可实施的方式，采用激光镭射遮光缺陷区，使得遮光缺陷区的材料分解形成残渣与对遮光缺陷区处理之间的时间间隔≤30S。

作为一种可实施的方式，依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到遮光层上的遮光缺陷区包括：扫描遮光层，获取遮光层的实际图案；对比预设图案与实际图案，并定位遮光缺陷区。

作为一种可实施的方式，对比预设图案与实际图案，并定位遮光缺陷区包括：对比预设图案与实际图案，得到掩膜版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；判断缺陷的缺陷类型和尺寸信息，并标记遮光缺陷区，其中，遮光缺陷区的尺寸小于等于30μm*30μm。

本申请的实施例另一方面提供了一种掩膜版的制备方法，包括在衬底上制备遮光层；依据预设图案对遮光层进行图案化；依据预设图案对图案化后的遮光层进行缺陷识别，得到遮光层上的遮光缺陷区；对遮光缺陷区制冷处理；采用激光镭射遮光缺陷区，使得遮光缺陷区的材料分解形成残渣；清洗衬底和遮光层以去除残渣。

本申请的实施例的再一方面提供了一种掩膜版，采用上述掩膜版的制备方法制备而成，掩膜版包括：衬底以及设置在衬底上的遮光层，其中，遮光层上刻蚀有预设图案。