[发明专利]一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版在审
| 申请号： | 202210615130.0 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114815498A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张哲玮;王梅侠 | 申请（专利权）人： | 泉意光罩光电科技（济南）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋家会 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高新区经十路7*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 缺陷 修复 方法 制备 | ||
1.一种掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，包括：
依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到所述遮光层上的遮光缺陷区；
对所述遮光缺陷区制冷处理；
采用激光镭射所述遮光缺陷区，使得所述遮光缺陷区的材料分解形成残渣；
对所述掩膜版进行清洗以去除所述残渣。
2.根据权利要求1所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，对所述遮光缺陷区制冷处理包括：
对包括所述遮光缺陷区的掩膜版制冷处理。
3.根据权利要求1或2所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述对所述遮光缺陷区制冷处理包括：
使用制冷气体吹扫所述遮光缺陷区或包括所述遮光缺陷区的掩膜版，所述制冷气体的温度在-4℃-4℃之间。
4.根据权利要求3所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述制冷气体为二氧化碳。
5.根据权利要求2所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述对包括所述遮光缺陷区的掩膜版制冷处理包括：
将所述掩膜版设置温度在-2℃-4℃之间的环境中放置预设时间。
6.根据权利要求1所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述采用激光镭射所述遮光缺陷区，使得所述遮光缺陷区的材料分解形成残渣与所述对所述遮光缺陷区制冷处理之间的时间间隔≤30S。
7.根据权利要求1所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述依据预设图案对掩膜版的遮光层进行缺陷识别，得到所述遮光层上的遮光缺陷区包括：
扫描所述遮光层，获取所述遮光层的实际图案；
对比所述预设图案与所述实际图案，并定位所述遮光缺陷区。
8.根据权利要求7所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，对比所述预设图案与所述实际图案，并定位所述遮光缺陷区包括：
对比所述预设图案与所述实际图案，得到掩膜版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
判断所述缺陷的缺陷类型和尺寸信息，并标记所述遮光缺陷区，其中，遮光缺陷区的尺寸小于等于30μm*30μm。
9.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，
在衬底上制备遮光层；
依据预设图案对所述遮光层进行图案化；
依据预设图案对图案化后的所述遮光层进行缺陷识别，得到所述遮光层上的遮光缺陷区；
对所述遮光缺陷区制冷处理；
采用激光镭射所述遮光缺陷区，使得所述遮光缺陷区的材料分解形成残渣；
清洗所述衬底和所述遮光层以去除所述残渣。
10.一种掩膜版，其特征在于，采用如权利要求9所述的掩膜版的制备方法制备而成，所述掩膜版包括：衬底以及设置在所述衬底上的遮光层，其中,所述遮光层上刻蚀有预设图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉意光罩光电科技（济南）有限公司，未经泉意光罩光电科技（济南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210615130.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
