[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

说明书

一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)；第一图案区，在所述第一ILD内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及第二图案区，在所述第一ILD内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0085585的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本申请涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。

背景技术

根据半导体器件的高性能、高速和/或多功能性的趋势，为了提高半导体器件的集成程度，对半导体器件内部的元件(例如，晶体管)和互连部的小型化的要求增加。然而，由于精细的互连部之间的各种情况(例如，间距的改变)，实现精细的互连部降低了工艺裕度，并且由于互连部密度的增大而降低了性能。

发明内容

根据实施例的一个方面，一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)(或第一层间绝缘层)；以及多个第一图案区和多个第二图案区，在所述第一ILD内在第一方向上彼此分隔开并且在与所述第一方向垂直的第二方向上交替地设置、并且分别包括至少一个第一图案和至少一个第二图案，其中，所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的。

根据实施例的另一个方面，一种半导体器件，包括：下部结构；第一图案，在所述下部结构上在第一方向上延伸，所述第一图案的两端是凹陷的；以及第二图案，在所述下部结构上平行于所述第一图案延伸、在与所述第一方向垂直的第二方向上靠近所述第一图案，所述第二图案的两端是凸出的，其中，所述第二图案的面对所述第一图案的一个侧表面具有在所述第二方向上与所述第一图案重叠的第一部分、以及与所述第一图案不重叠的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分基本上彼此共面。

根据实施例的又一个方面，一种半导体器件，包括：成对的电力互连部，在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开；多个第一图案区和多个第二图案区，在所述成对的电力互连部之间在所述第一方向上延伸、在所述第二方向上交替地布置、以及分别包括通过阻挡间隙在所述第一方向分开的多个第一图案和多个第二图案；以及多个间隔物区，被布置在所述成对的电力互连部以及所述多个第一图案区与所述多个第二图案区之间，其中，所述成对的电力互连部之间的区域中的所述多个第一图案的图案密度低于所述多个第二图案的图案密度。

根据实施例的又一个方面，一种制造半导体器件的方法，包括：在下部结构上顺序地形成介电层、第一硬掩膜和第一图案化层；图案化所述第一图案化层，以形成在第一方向上连续地延伸的非心轴区和由所述非心轴区限定的心轴图案；在所述非心轴区和所述心轴图案上形成初步间隔物层；在所述初步间隔物层上形成将所述非心轴区划分成多个第一图案线的图案阻挡层；蚀刻由所述图案阻挡层暴露的所述初步间隔物层，以形成沿所述心轴图案(mandrel pattern)的侧壁延伸的间隔物层；顺序地形成覆盖所述心轴图案、所述间隔物层和所述图案阻挡层的第二硬掩膜和所述第二硬掩膜上的第二图案化层；图案化所述第二图案化层，以形成在竖直方向上与所述心轴图案重叠并且与所述心轴图案平行地延伸的心轴蚀刻区、以及将所述心轴蚀刻区划分成多个第二图案线的心轴切割图案；使用经图案化的第二图案化层蚀刻所述第二硬掩膜和所述心轴图案；去除第二图案化层和第二硬掩膜层，以及使用所述间隔物层、所述图案阻挡层和经蚀刻的心轴图案图案化所述第一硬掩膜；使用经图案化的第一硬掩膜在所述介电层上形成与所述多个第一图案线相对应的多个第一沟槽和与所述多个第二图案线相对应的多个第二沟槽；以及在所述多个第一沟槽和所述多个第二沟槽内部电镀金属材料，以形成多个第一图案和多个第二图案。

附图说明