[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下部结构；

所述下部结构上的第一层间电介质；

第一图案区，在所述第一层间电介质内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及

第二图案区，在所述第一层间电介质内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第二图案在所述第一方向上的两端是凸出的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一图案区中的至少一些第一图案区包括在所述第一方向上彼此重叠的第一图案，所述第一图案通过第一间隔彼此分开，所述第一间隔包括被所述第一层间电介质填充的第一阻挡间隙，

所述第二图案区中的至少一些第二图案区包括在所述第一方向上彼此重叠的第二图案，所述第二图案通过第二间隔彼此分开，所述第二间隔包括被所述第一层间电介质填充的第二阻挡间隙，并且

所述第一间隔与所述第二间隔基本上彼此相等。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：阻挡区，位于所述第一图案中的至少一个第一图案在所述第一方向上的端部，所述阻挡区被所述第一层间电介质填充并且具有大于所述第一间隔的长度的长度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二图案区中的至少一些第二图案区包括在所述第一方向上彼此重叠的第二图案，所述第二图案通过被所述第一层间电介质填充的第二阻挡间隙彼此分开，并且

所述第二图案在所述第二方向上具有基本上相同的线宽。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一图案区中的所述至少一个第一图案的图案密度比所述第二图案区中的所述至少一个第二图案的图案密度低。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二图案区中的至少一些第二图案区包括在所述第一方向上彼此重叠的第二图案，所述第二图案通过被所述第一层间电介质填充的第二阻挡间隙彼此分开，并且

所述第二图案中的至少一些第二图案是与所述下部结构电绝缘的虚设图案。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：成对的电力互连部，在所述第一层间电介质内在所述第一方向上延伸，所述成对的电力互连部在所述第二方向上彼此分隔开，并且所述第一图案区和所述第二图案区被布置在所述成对的电力互连部之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下部结构包括：

半导体衬底；

有源区，在所述半导体衬底上在所述第一方向上延伸；

栅极结构，与所述有源区交叉并且在所述第二方向上延伸；以及

源极/漏极区，在所述有源区上靠近所述栅极结构的相对侧布置。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一图案和所述至少一个第二图案中的至少一个被电连接到所述栅极结构或所述源极/漏极区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述第一层间电介质上的第二层间电介质；以及

第三图案区和第四图案区，在所述第二层间电介质内交替地设置并且彼此分隔开，所述第三图案区和所述第四图案区分别包括至少一个第三图案和至少一个第四图案。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三图案区和所述第四图案区在所述第二方向上延伸。