[发明专利]钕铁硼稀土磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼稀土磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体包括主相、重稀土壳层、晶界相和富稀土相，其中晶界相包含μ相或δ相，μ相即R_36.5Fe_63.5-xM_x，2.5≤x≤5；δ相即R_32.5Fe_67.5-yM_y，7≤y≤25，上述中R是指Nd，Pr，Ce，La中的至少两种元素，M是指Al，Cu，Ga中的至少两种元素，比例是指原子百分比。

2.一种制备权利要求1所述的钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤，

(S1)扩散源制作：熔炼合金薄片，所述合金薄片的化学式为R_αRH_δM_βB_γFe_{100-α-β-γ-δ}，其中15≤α≤45，20≤δ≤70，10≤β≤25，0.2≤γ≤5，R为Nd、Pr中至少一种，RH为Dy、Tb中至少一种，M为Al、Cu、Ga中至少一种，Fe含量低于5％，其中比例为质量百分比；将上述合金薄片表面镀一层无重稀土合金膜层，化学式为R_nM_m，50≤n≤80，20≤m≤50，R为Nd、Pr、Ce、La中的至少一种，M为Al、Cu、Ga中的至少一种，进行时效处理，形成新型扩散源后进行吸氢和脱氢处理；

(S2)钕铁硼薄片制作：配制钕铁硼磁体母材，其质量比化学式是R_aM¹_bM²_cB_dFe_100-a-b-c-d，其中27≤a≤33，0.5≤b≤3，0.5≤c≤2.5，0.8≤d≤1.2，R是指Dy、Tb、Y、Ho、Gd、Nd、Pr、Ce、La中的一种或多种，M¹是指Al、Ga、Cu中的一种或多种，M²是指Ti、Co、Mg、Zn、Nb、Zr、Mo、Sn中的一种或多种，剩余成分为Fe，将钕铁硼磁体母材制成钕铁硼薄片，比例为质量百分比；

(S3)在钕铁硼薄片上涂覆一层新型扩散源膜层，进行扩散和时效处理，得到钕铁硼磁体。

3.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S1)和步骤(S3)中的涂覆膜层的方法是喷涂涂覆镀膜、浸涂涂覆镀膜或丝网印刷涂覆镀膜中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S1)中时效处理温度是600-800℃；新型扩散源吸氢温度为50-200℃，脱氢温度为450-550℃。

5.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S1)中所述新型扩散源粉末粒度为3-60μm。

6.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S2)中将配制好的钕铁硼磁体母材经熔炼、速凝薄片，制得钕铁硼薄片。

7.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S2)中将钕铁硼母材薄片和润滑剂混合进行氢处理，经气流磨制备混合粉末，将上述粉末压制成型，烧结得到钕铁硼磁体母材。

8.根据权利要求7所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体母材的气流磨粉末粒度为2-5μm。

9.根据权利要求7所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，制备所述钕铁硼磁体母材烧结过程的烧结温度是980-1060℃，烧结时间为6-15h。

10.根据权利要求2所述的制备钕铁硼稀土磁体的方法，其特征在于，步骤(S3)中扩散温度为850-950℃，扩散时间为6-30h，一级时效温度为700-850℃，一级时效时间为2-10h，二级时效温度为450-600℃，二级时效时间为3-10h。