[发明专利]滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种滤波器，其中，包括：

支撑部，用于作为所述滤波器的支撑结构；

封装部，位于所述支撑部上，在所述支撑部和所述封装部之间具有封装空间；

其中，所述封装部包括：

钝化层，位于所述支撑部上，与所述支撑部之间具有封装空间；

有机层，位于所述钝化层上，作为所述封装部的主体结构。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述封装部还包括：

终止层，位于所述有机层上。

3.根据权利要求2所述的滤波器，其中，所述钝化层和/或所述终止层为与所述有机层的有机材料对应的有机结构层，其中，所述有机材料为聚酰亚胺、环氧树脂中至少之一。

4.根据权利要求2所述的滤波器，其中，所述钝化层和/或所述终止层为无机材料的无机结构层。

5.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，所述支撑部包括：

衬底，位于所述封装部下方，作为所述滤波器的支撑结构的支撑主体；

功能区，对应于所述封装部，设置于所述衬底上，并位于所述封装空间中；

多个衬底电极，均匀分布于朝向所述封装部的所述衬底的表面上；

多个支撑电极，围设所述功能区，一一对应设置于所述多个衬底电极上，并位于所述封装空间中；

密封墙，沿所述朝向所述封装部的所述衬底的表面的边缘设置，围设所述多个支撑电极和所述功能区，并与所述封装部和支撑部一并形成所述封装空间。

6.根据权利要求5所述的滤波器，其中，所述多个支撑电极中每个支撑电极和所述密封墙的高度大于等于5μm，所述多个支撑电极中每个支撑电极和所述密封墙之间的高度差小于等于1μm，所述支撑部的片内高度均匀度小于10％。

7.根据权利要求2所述的滤波器，其中，所述终止层的厚度大于等于0.5μm，所述钝化层的厚度大于等于0.5μm，所述有机层的厚度大于等于10μm。

8.根据权利要求5所述的滤波器，其中，所述封装部还包括：

多个键合电极，一一对应设置于所述多个支撑电极上；

密封区，围设所述多个键合电极，与所述密封墙对应并设置于所述密封墙上；

多个倒装电极，设置于背向所述支撑部的所述封装部的表面上；

多个引线孔，一一对应所述多个键合电极，透穿于所述封装部上；

多个引线电极，一一对应所述多个引线孔，且所述多个引线电极中的每个引线电极连接所述多个键合电极中的对应一个键合电极。

9.根据权利要求8所述的滤波器，其中，所述多个键合电极中的每个键合电极包括：

键合电极层，位于所述多个键合电极中对应的一个键合电极上；

传导电极层，位于所述键合电极层上；

其中，所述传导电极层主体部分位于所述钝化层的开孔中，所述开孔与所述键合电极的所述多个引线孔中对应的一个引线孔对应，所述传导电极层的边缘部分沿所述开孔的边缘设置于朝向所述支撑部的所述钝化层表面上。

10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，所述键合电极层和所述传导电极层的制备材料为铜锡组合材料或金锡组合材料；所述多个支撑电极中的每个支撑电极的制备材料为金、铜、铝中至少一种。

11.根据权利要求8所述的滤波器，其中，所述密封区包括：

键合密封层，位于所述密封墙上；

保护密封层，位于所述键合密封层上；

其中，所述保护密封层主体部分位于所述钝化层的开槽中，所述开槽与所述密封墙对应，所述保护密封层的边缘部分沿所述开槽的边缘设置于朝向所述支撑部的所述钝化层表面上。

12.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述键合密封层和所述保护密封层的制备材料为铜锡组合材料或金锡组合材料；所述密封墙的制备材料为金、铜、铝中至少一种。