[发明专利]存储器器件及其制造方法和系统

权利要求书

1.一种存储器器件的制造方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的牺牲层和电介质层，所述堆叠层包括沿第一方向相邻分布的第一区域和第二区域，所述第二区域包括贯穿所述堆叠层的多个沟道结构；

在所述堆叠层的顶部形成顶部盖层；

在所述第一区域中形成贯穿所述顶部盖层的多个开口，并同时在所述第二区域中形成贯穿所述顶部盖层并到达所述多个沟道结构的顶端的多个第二接触孔，其中，所述多个开口对应于多个第一接触孔，每个所述第一接触孔贯穿所述堆叠层中的若干层而分别到达各自预定深度的牺牲层；

在每个所述第一接触孔中形成第一接触结构，以及在每个所述第二接触孔中形成第二接触结构。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域中形成贯穿所述顶部盖层的多个开口，并同时在所述第二区域中形成贯穿所述顶部盖层并到达所述多个沟道结构的顶端的多个第二接触孔的步骤包括：

在所述顶部盖层上覆盖第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上覆盖第一光刻胶层；以及

通过所述第一光刻胶层图案化所述第一硬掩模层，以形成所述多个第二接触孔和贯穿所述顶部盖层而到达所述堆叠层顶部的牺牲层的多个开口。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述多个第二接触孔和贯穿所述顶部盖层而到达所述堆叠层顶部的牺牲层的多个开口的步骤之后，还包括：

在所述第一硬掩模层上覆盖第二光刻胶层；以及

循环执行在所述第一方向上修整所述第二光刻胶层、暴露预定数量的所述开口和通过所述暴露的开口刻蚀预定层数的堆叠层的步骤，利用所述多个开口形成所述多个第一接触孔。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在形成所述多个第一接触孔之后，还包括：

去除所述第一硬掩模层；

同时在所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔的侧壁和底部形成绝缘层；

同时在所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔中的绝缘层内侧填充牺牲材料；

在所述半导体结构的顶部形成帽盖层；

沿所述第一方向形成贯穿所述堆叠层的栅线隔槽，通过所述栅线隔槽去除所述堆叠层中的所述牺牲层，以及在去除所述牺牲层之后所形成的空隙中填充导电材料形成栅极层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在每个所述第一接触孔中形成第一接触结构，以及在每个所述第二接触孔中形成第二接触结构的步骤包括：

在所述帽盖层上覆盖第三光刻胶层；

通过所述第三光刻胶层图案化所述帽盖层，以形成贯穿所述帽盖层到达所述多个第一接触孔顶部的多个第一开口，以及贯穿所述帽盖层到达所述多个第二接触孔顶部的多个第二开口；

通过所述多个第一开口去除所述多个第一接触孔中的牺牲材料，同时通过所述多个第二开口去除所述多个第二接触孔中的牺牲材料；

通过所述多个第一开口去除所述第一接触孔的底部的绝缘层，同时通过所述多个第二开口去除所述多个第二接触孔的底部的绝缘层；以及

在所述多个第一接触孔中填充导电材料以形成所述第一接触结构，同时在所述多个第二接触孔中填充导电材料以形成所述第二接触结构。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一开口的关键尺寸大于所述第一接触孔的关键尺寸，所述第二开口的关键尺寸大于所述第二接触孔的关键尺寸。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述堆叠层的顶部形成顶部盖层的步骤之前，还包括：在所述堆叠层的第一区域中形成贯穿所述堆叠层的多个虚拟沟道结构。