[发明专利]微型发光二极管元件结构

权利要求书

1.一种微型发光二极管元件结构，其特征在于，包括：

基板；

微型发光二极管，位于所述基板上，包括：

第一型半导体层；

第二型半导体层，位于所述第一型半导体层上；以及

主动层，位于所述第一型半导体层和所述第二型半导体层之间，其中所述第二型半导体层的顶表面具有相对于所述基板的前表面的第一高度，所述微型发光二极管的侧向长度与所述第一高度的比值小于20，所述侧向长度小于50微米；

隔离层，位于所述基板上并围绕所述微型发光二极管，所述隔离层具有平坦部分以及位于所述平坦部分和所述微型发光二极管之间的凹部，所述平坦部分具有背对所述基板的平坦表面，所述凹部具有背对所述基板的凹表面，所述凹部与所述微型发光二极管的侧表面接触，所述第二型半导体层自所述隔离层露出；以及

上电极，覆盖并接触所述第二型半导体层和所述隔离层，

其中所述微型发光二极管与所述凹面之间的接触周缘相对于所述前表面具有第二高度，所述平坦表面相对于所述前表面具有第三高度，所述第二高度大于所述第三高度且小于所述第一高度，其中，所述隔离层相对于所述前表面的高度自所述第二高度沿远离所述侧表面的方向减小至所述第三高度；以及

其中，在所述微型发光二极管元件结构垂直于所述前表面的截面中，所述平坦表面与连接所述接触周缘和转折周缘的虚拟直线之间的夹角大于120度，所述转折周缘为所述凹面与所述平坦表面之间的边界。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述第一高度与所述第二高度的差距大于0微米且小于3.5微米。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述第一型半导体层为p型半导体层，所述第二型半导体层为n型半导体层。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述第二型半导体层的厚度大于所述第一型半导体层的厚度。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述基板包括导电层于其上，所述微型发光二极管更包括位于所述第一型半导体层上的粘合电极，所述导电层与所述粘合电极接触。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，在所述截面中，所述凹面位于所述平坦表面的延伸与所述虚拟直线之间。

7.根据权利要求6所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，在所述截面中，所述虚拟直线、所述侧表面和所述平坦表面的所述延伸形成三角形区域，所述隔离层在所述三角形区域内的面积相对于所述三角形区域的填充率大于30％。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述隔离层的折射系数小于所述上电极的折射系数。

9.根据权利要求8所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述上电极的折射系数小于所述第一型半导体层和所述第二型半导体层的折射系数。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述上电极包括金属纳米线。

11.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述上电极的透光率大于60％。

12.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述隔离层相对于该侧表面的宽度大于1微米。

13.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述隔离层完全覆盖且接触所述第一型半导体层和所述主动层的侧表面。

14.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件结构，其特征在于，所述第一型半导体层和所述第二型半导体层皆与所述隔离层接触。