[发明专利]一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法

说明书

本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，涉及碳化硅部件清洗技术领域。包括以下步骤：S1、遮蔽处理；S2、有机浸泡；S3、有机擦拭；S4、去遮蔽；S5、水洗操作；S6、干冰操作；S7、CDA吹干；S8、检测处理；S9、超声处理；S10、烘干处理。该适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，本发明通过对碳化硅部件进行遮蔽、有机浸泡、有机擦拭、去遮蔽、水洗操作、干冰操作、CDA吹干以及烘干操作，实现对碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行清洗，进而便于去除沉积物以及附着的膜，便于实现适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗；本发明清洗方法改善了以往繁琐清洗的方式，本发明清洗方法清洗效果好以及方便工作人员的操作。

技术领域

本发明涉及碳化硅部件清洗技术领域，具体为一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法。

背景技术

碳化硅部件用于制造IC(集成电路)的干刻中的工艺腔体中，碳化硅部件产品具有较高的抗氧化性、化学稳定性和耐热性，具备在2000度高温时也可保持稳定的优良特性，它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的夹具产品。在半导体生产设备、汽车领域、能源领域等领域有广泛应用，干刻工艺是将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成plasma，对特定膜层加以化学刻蚀和等离子轰击，达到去膜的一种去膜刻蚀方式，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，耐腐蚀性能佳的特性。其在干刻工艺腔体内对其损耗极小，极大的降低了运营成本。

由于干刻工艺对碳化硅部件膜层的腐蚀及其气体的沉积，会在部件表面形成沉积物，故须对其定期进行膜层的去除，不然会影响工艺运作，而且高效的清洗工艺尤为重要，为此，我们提出了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法来解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：

S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理；

S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、异丙醇的一种或者两种的浸泡液中进行浸泡处理；

S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮、异丙醇的一种或者两种的混合液进行蘸取擦拭；

S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；

S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净；

S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底；

S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；

S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测；

S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理；

S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作。

进一步优化本技术方案，所述步骤S1中的遮蔽处理采用热熔遮蔽胶带遮蔽。

进一步优化本技术方案，所述步骤S2中浸泡液的时间为30-60min，浸泡的温度为常温。

进一步优化本技术方案，所述步骤S3中采用百洁布进行擦拭处理。

进一步优化本技术方案，所述步骤S5中水洗水枪采用30～100Mpa进行冲洗4～6min，距离为30～70cm。