[发明专利]一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法

权利要求书

1.一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理；

S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、异丙醇的一种或者两种的浸泡液中进行浸泡处理；

S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮、异丙醇的一种或者两种的混合液进行蘸取擦拭；

S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；

S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净；

S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底；

S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；

S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测；

S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理；

S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作。

2.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中的遮蔽处理采用热熔遮蔽胶带遮蔽。

3.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中浸泡液的时间为30-60min，浸泡的温度为常温。

4.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S3中采用百洁布进行擦拭处理。

5.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S5中水洗水枪采用30～100Mpa进行冲洗4～6min，距离为30～70cm。

6.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S6中干冰的距离为300～500mm，速度为500～1500mm/S，压力为2.5～5kg。

7.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S8中碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰。

8.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S9中的超声水洗的时间为5～10min，超声的频率为20KHZ～100KHZ。

9.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S10中的烘干为在90～150℃的烤箱内烘烤1～3H。