[发明专利]弹性波装置芯片和其制造方法、弹性波装置及包含弹性波装置芯片或弹性波装置的模块在审
申请号: | 202210561924.3 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN114785311A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 本山惠一郎;小坂直弘 | 申请(专利权)人: | 三安日本科技株式会社 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/60;H03H9/64;H03H3/02;H03H3/08 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;谢琼慧 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 芯片 制造 方法 包含 模块 | ||
1.一种弹性波装置芯片,包含压电基板、形成于所述压电基板的主面的布线图案,及形成于所述压电基板的所述主面并电连接于所述布线图案的多个共振器,其特征在于:所述压电基板形成有凹凸图案,并包括:
第1压电性元件,具有在所述凹凸图案的凸部的端面形成所述主面的第1区域,及
第2压电性元件,具有与所述第1压电性元件的特性相异的特性且填满所述凹凸图案的凹部,具有形成所述主面中不同于所述第1区域的第2区域。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置芯片,其特征在于:所述弹性波装置芯片还包含:设置于所述凹凸图案的凹部中且位于所述第1压电性元件与所述第2压电性元件间的中间层。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置芯片,其特征在于:所述共振器包括具有接收滤波器的功能的多个接收侧共振器,与具有发送滤波器的功能的多个发送侧共振器,所述发送侧共振器中的至少一个形成于所述第2压电性元件,并且具有所述发送滤波器的通带中的高频侧的频率特性。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置芯片,其特征在于:所述共振器包括作为梯形滤波器的一部分且形成于所述第1压电性元件的多个串联共振器,与作为梯形滤波器的另一部分且形成于所述第2压电性元件的多个并联共振器。
5.根据权利要求1所述的弹性波装置芯片,其特征在于:所述弹性波装置芯片还包含以蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃制成,且接合于所述压电基板的支撑基板。
6.一种弹性波装置,其特征在于:所述弹性波装置包含:权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置芯片,与电连接于所述弹性波装置芯片的布线基板。
7.一种模块,其特征在于:所述模块包含:权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置芯片,或权利要求6所述的弹性波装置。
8.一种弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述弹性波装置芯片的制造方法包含:
凹凸图案形成步骤:在第1晶圆的表面形成凹凸图案;
成膜步骤:在所述凹凸图案形成步骤后,以具有与所述第1晶圆的特性相异的特性的第2压电性元件在所述第1晶圆的表面侧形成薄膜;及
研磨步骤:在所述成膜步骤后,研磨所述第2压电性元件的一侧,而让所述第1晶圆中的所述凹凸图案的凸部露出,并且保留所述凹凸图案的凹部中的所述第2压电性元件。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述成膜步骤是以脉冲激光沉积法形成所述第2压电性元件的薄膜。
10.根据权利要求8或9所述的弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述弹性波装置芯片的制造方法还包含:
中间层形成步骤:在所述凹凸图案形成步骤后,在所述第1晶圆的表面侧形成以六方晶系元素为主要成分的中间层,
所述成膜步骤是在所述中间层形成步骤后,以所述第2压电性元件在所述第1晶圆的表面侧形成薄膜。
11.根据权利要求8所述的弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述弹性波装置芯片的制造方法还包含:
切断步骤:在所述研磨步骤后,切断所述第1晶圆中的所述第2压电性元件未形成薄膜的区域。
12.根据权利要求8所述的弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述凹凸图案形成步骤包括洗净所述凹凸图案的凹部的底部的洗净步骤,所述成膜步骤在所述洗净步骤后进行。
13.根据权利要求8所述的弹性波装置芯片的制造方法,其特征在于:所述弹性波装置芯片的制造方法还包含:
第1晶圆形成步骤:设定所述第1晶圆的厚度与所述凹凸图案的凹部的深度而形成所述第1晶圆,以让所述研磨步骤后的所述凹凸图案的凸部的露出部,与所述凹凸图案的凹部中的所述第2压电性元件的残留部能达到预期的频率特性,
所述凹凸图案形成步骤借由所述第1晶圆形成步骤,在所述第1晶圆的表面形成所述凹凸图案。
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