[发明专利]化学机械研磨设备及研磨方法

说明书

本发明涉及化学机械研磨技术领域，具体涉及一种化学机械研磨设备及研磨方法。一种装卸承载台包括：承载部，具有承载平面；研磨部，设置在承载部上，研磨部用于与晶圆接触；液体输出部，设置在承载部的外侧，液体输出部适于将液体喷洒至研磨部上，以对晶圆进行预研磨和/或后研磨及对研磨部进行清洗。本发明在承载部的承载平台上贴一个研磨垫，当晶圆进入装卸承载台后，研磨头载入晶圆并下压至研磨垫之上做预研磨，在研磨后晶圆进入装卸承载台后进行水磨，使得取卸载圆吸的功能与预研磨、水磨、清洗功能统一，使得装卸承载台的功能更加多样化；水磨用以清洗晶圆表面研磨或化学残留物，减少了晶圆的表面缺陷，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及化学机械研磨技术领域，具体涉及一种化学机械研磨设备及研磨方法。

背景技术

化学机械抛光技术是化学作用和机械作用相结合的技术，首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除该软质层,使工件表面重新裸露出来，随后再进行化学反应,藉此在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。

目前，在加工过程中晶圆承载台表面时不时有待磨及研磨后晶圆接触，承载台表面上的各种研磨及化学残留物会粘附于晶圆表面，进入研磨平台的晶圆会导致残留物陷进晶圆表面金属的现象而导致产生各种缺陷，进入清洗区域的晶圆会存在增加清洗难度，清洗不掉的现象，同样产生各种缺陷，降低了产品良率。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的晶圆承载台上研磨及化学残留物降低晶圆良率的缺陷，从而提供一种化学机械研磨设备及研磨方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种装卸承载台，包括：承载部，具有承载平面；研磨部，设置在承载部上，研磨部用于与晶圆接触；液体输出部，设置在承载部的外侧，液体输出部适于将液体喷洒至研磨部上，以对晶圆进行预研磨和/或后研磨及对研磨部进行清洗。

可选的，承载部包括动力部和承载平台，承载平台的上表面形成承载平面，动力部与承载平台连接，以驱动承载平台绕其轴线转动。

可选的，研磨部的上表面上设有若干间隔设置的沟槽。

可选的，液体输出部包括研磨液输出部和清洗液输出部，研磨液输出部适于将研磨液喷洒至研磨部上，清洗液输出部适于将清洗液喷洒至研磨部上，以对晶圆进行清洗和后研磨。

可选的，承载部的周围还设有防护罩，防护罩用于防止液体或颗粒物的飞溅。

可选的，防护罩包围承载平台的周围和底部，防护罩上设有排水口。

本发明还提供了一种化学机械研磨设备，包括：研磨头和上述的装卸承载台。

本发明还提供了一种化学机械研磨方法，包括：在对晶圆进行主研磨之前和/或之后将晶圆放置在装卸承载台的研磨部上；装卸承载台的液体输出部将液体喷洒至研磨部上，通过研磨头对晶圆进行预研磨和/或后研磨；对研磨部进行清洗。

可选的，装卸承载台的液体输出部将液体喷洒至研磨部上，通过研磨头对晶圆进行预研磨和/或后研磨的步骤中，液体输出部所输出的研磨液的流量为50～80ml/min，和/或，预研磨的时间为5～8秒，和/或，研磨头的转速为45～50rpm/min，和/或，后研磨的时间为4～6秒。

可选的，研磨部进行清洗的步骤中，液体输出部所输出的清洗液的流量200～250ml/min，和/或，清洗的时间为3～5秒，和/或，装卸承载台的承载部的转速为50～60rpm/min。

本发明具有以下优点：