[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210555141.4 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115312580A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
沿着半导体衬底的顶面形成凹槽；
形成沿所述凹槽的第一侧壁延伸的基于氮化物的间隔件层；以及
在所述凹槽中形成场氧化物层，所述场氧化物层沿所述凹槽的底面延伸，而所述基于氮化物的间隔件层阻止所述场氧化物层的横向尖端延伸到除了所述凹槽之外的所述半导体衬底的任何部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述基于氮化物的间隔件层之前，还包括形成沿所述凹槽的所述第一侧壁延伸的衬垫氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述场氧化物层的顶面与所述半导体衬底的顶面共面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述凹槽之前，还包括形成至少延伸到所述半导体衬底中的浅沟槽隔离(STI)结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述凹槽的与所述第一侧壁横向相对的第二侧壁由所述浅沟槽隔离结构限定。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括：
沿所述半导体衬底的顶面形成源极区，其中，所述源极区横向设置为靠近所述场氧化物层的横向尖端；
还沿所述半导体衬底的顶面形成漏极区，其中，所述漏极区横向设置为靠近邻接所述场氧化物层的浅沟槽隔离结构；以及
在所述场氧化物层和所述浅沟槽隔离结构上方形成栅极结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述栅极结构被横向限制在所述场氧化物层和所述浅沟槽隔离结构的共同区域内。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述源极区的尖端与所述场氧化物层的尖端之间的最小距离小于约0.3微米(μm)。
9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
形成从半导体衬底的顶面延伸到所述半导体衬底中的隔离结构；
使所述半导体衬底凹进以限定第一侧壁、底面以及第二侧壁，其中，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对，从而暴露所述隔离结构的部分；
形成沿所述第一侧壁延伸并位于所述底面上面的氧化物衬垫层；
在氧化物衬垫层上方形成也沿所述第一侧壁延伸的介电间隔件层；以及
至少热氧化设置在所述底面下面的所述半导体衬底的部分，从而将所述氧化物衬垫层与所述底面重叠的所述半导体衬底的部分转化为场氧化物层，其中，所述介电间隔件层被配置为在热氧化步骤期间阻止氧原子扩散到所述第一侧壁外部。
10.一种半导体器件，包括：
栅极介电层，填充半导体衬底的凹槽，其中，所述栅极介电层横向延伸有终止于所述凹槽的侧壁的尖端；
隔离结构，至少邻接所述栅极介电层的与所述尖端横向相对的部分；
源极区，横向设置为邻近所述尖端；
漏极区，横向设置为相对于隔离结构与所述栅极介电层相对；以及
栅极结构，至少设置在所述栅极介电层上方。
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