[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及存储器控制器的操作方法

说明书

提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2021年8月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0108179的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本公开涉及一种存储器控制器，并且更具体地，涉及一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。

背景技术

作为非易失性存储器的闪存即使在电源中断时也可以保持存储在其中的数据。诸如固态驱动器(SSD)和存储卡的包括闪存的存储装置被广泛地使用，并且存储装置可用于存储或移动大量数据。

当闪存的数据存储容量增加并且存储在每个存储单元中的位数增加时，可以减小多个阈值电压分布之间的空白(margin)。因此，为了减少数据读取处理中的错误，需要能够标识多个阈值电压分布的最佳读取电平计算。然而，由于在读取处理中生成的噪声以及如上所述的多个阈值电压分布之间的空白的减小，在计算最佳读取电平时会存在限制。

发明内容

示例实施例提供一种能够计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种被配置为控制存储器件的存储器控制器，所述存储器控制器包括：处理器，所述处理器被配置为控制对所述存储器件的存储器操作；以及读取电平计算模块，所述读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，所述N个计数值分别对应于N个读取电平，以从所述N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与所述选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从所述至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，所述N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：基于使用多个读取操作读取的数据来计算与多个读取电平相对应的多个计数值；选择多个单元计数函数中的一个单元计数函数作为最佳单元计数函数，其中，所述多个单元计数函数是通过使用在所述多个读取电平当中选择的一些读取电平作为输入并且使用所述多个计数值中的与所选择的一些读取电平相对应的计数值作为输出被建模出的；以及输出关于基于所述最佳单元计数函数计算出的最佳读取电平的信息，其中，使用所述多个读取电平作为输入为所述多个单元计数函数中的每一个单元计数函数计算函数值，并且所述最佳单元计数函数通过所述函数值与所述多个计数值的比较被选择。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种配备有存储器件的存储器系统，其中，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；电压生成器，所述电压生成器被配置为生成在对所述存储单元阵列的读取操作中使用的具有多个电平的多个读取电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：当在从所述存储单元阵列读取的数据中发生错误时控制使用所述多个电平对所述存储单元阵列进行的重新读取操作，并且基于对在所述重新读取操作中读取的数据的计数操作来生成与N个读取电平相对应的N个计数值，N是等于或大于四的整数，其中，所述N个计数值用于建模至少两个单元计数函数，每个所述单元计数函数以所述N个读取电平中的特定读取电平作为输入，并且所述特定读取电平的数目小于N。