[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 202210540045.2 | 申请日: | 2022-05-18 |
公开(公告)号: | CN114843288A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 曹丹;舒晓青;高文辉;郭永林;肖云升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示基板及显示装置,以改善显示装置的显示亮度不均一现象。显示基板包括:像素电路及发光器件;像素电路包括:第一像素电路和第二像素电路。发光器件包括:第一发光器件和第二发光器件。第一像素电路与第一发光器件耦接,第一像素电路与第一发光器件部分正对设置;第二像素电路与第二发光器件耦接;第二像素电路在显示基板所在平面的正投影,与第二发光器件在显示基板所在平面的正投影无交叠;第一像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比,大于第二像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比;第一像素电路中的补偿晶体管的沟道电容,大于第二像素电路中的补偿晶体管的沟道电容。显示基板及显示装置用于图像显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示技术是一种利用发光材料在电流的驱动下发光来实现显示的技术。OLED显示器具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围宽等优点。
发明内容
本发明实施例的目的在于改善显示基板及显示装置的显示亮度不均一现象。
为达到上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明的一些实施例提供了一种显示基板,所述显示基板包括:多个像素电路及多个发光器件;像素电路包括:驱动晶体管以及与所述驱动晶体管耦接的补偿晶体管。所述多个像素电路包括:多个第一像素电路和多个第二像素电路。所述多个发光器件包括:多个第一发光器件和多个第二发光器件。其中,第一像素电路与第一发光器件耦接,所述第一像素电路与所述第一发光器件至少部分正对设置。第二像素电路与第二发光器件耦接;所述第二像素电路在所述显示基板所在平面的正投影,与所述第二发光器件在所述显示基板所在平面的正投影无交叠。所述第一像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比,大于所述第二像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比。和/或,所述第一像素电路中的补偿晶体管的沟道电容,大于所述第二像素电路中的补偿晶体管的沟道电容。
本发明的一些实施例提供一种显示基板,根据显示基板中像素电路与发光器件之间的正投影关系,将显示基板中的多个像素电路和发光器件划分为第一像素电路以及与其耦接的第一发光器件,第二像素电路以及与其耦接的第二像素电路,其中,第一像素电路与第一发光器件至少部分正对设置;第二像素电路在显示基板所在平面的正投影,与第二发光器件在所述显示基板所在平面的正投影无交叠,同时,设置第一像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比,大于第二像素电路中的驱动晶体管的沟道宽长比;和/或,第一像素电路中的补偿晶体管的沟道电容,大于第二像素电路中的补偿晶体管的沟道电容,由此,使得第二像素电路中的驱动晶体管的开态电流小于第一像素电路中的驱动晶体管的开态电流,由第二像素电路中驱动晶体管经补偿晶体管对第一节点的充电欠充分,充电结束后第二像素电路中的第一节点的电位小于预设的电位值。此外,在补偿晶体管关闭的情况下,扫描信号线所传输的扫描信号由低电平变为高电平,补偿晶体管的栅极电压增大,进而使得与补偿晶体管的第二极连接的第一节点的电压也会相应的增大。由于第二像素电路中的补偿晶体管的沟道电容相对较小,补偿晶体管的第二极的电压增加的幅度较小,也就使得第一节点的电位受到沟道电容器的影响较小,第二像素电路中第一节点的电位增加的幅度相对较小,第二像素电路中第一节点的电位较低。进而使得在发光阶段,受第一节点控制的驱动晶体管的导通更加充分,进而使得通过驱动晶体管的驱动电流的起始值较大,从而使得通过第二像素电路的驱动晶体管的驱动电流增大,使得第二发光器件的发光亮度得到提升,进而可以缩小在相同的预设低灰阶下第二发光器件与第一发光器件的发光亮度差异,提高显示基板及显示装置在低灰阶显示情况下均一性。
在一些实施例中,所述第一像素电路中的驱动晶体管的沟道宽度,大于所述第二像素电路中的驱动晶体管的沟道宽度。
在一些实施例中,所述第一像素电路中的驱动晶体管的沟道宽度,与所述第二像素电路中的驱动晶体管的沟道宽度的差值小于或等于0.6μm。
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