[发明专利]抑制串扰的图像传感器在审
申请号: | 202210529542.2 | 申请日: | 2022-05-16 |
公开(公告)号: | CN115377134A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 王勤;彭进宝 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抑制 图像传感器 | ||
1.一种抑制串扰的图像传感器,包括:
半导体基板,所述半导体基板包括在其中的光电二极管,所述光电二极管位于所述半导体基板的背表面的曝光区域下方;
在所述背表面上的不透明层,所述不透明层部分地覆盖所述曝光区域,并且具有垂直于与所述背表面平行的图像平面方向的不透明层厚度;和
在所述图像平面方向上与所述不透明层相邻的光谱滤光器,所述光谱滤光器部分地覆盖所述曝光区域。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器邻接所述不透明层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器具有等于或超过所述不透明层厚度的滤光器厚度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器的宽度小于所述不透明层在所述图像平面方向上的宽度。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述不透明层和所述光谱滤光器的组合宽度在所述曝光区域在所述图像平面方向上的宽度的二分之一和四分之三之间。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括在所述不透明层的顶表面上的介质层,所述光谱滤光器的滤光器厚度大于或等于所述不透明层的底表面和所述介质层的顶表面之间的距离。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器覆盖所述介质层的所述顶表面。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括封闭的环形格栅单元,所述封闭的环形格栅单元包括所述不透明层,位于所述背表面上并在所述光电二极管上方对准,所述不透明层的一部分突出到所述封闭的环形格栅单元的孔中。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述半导体基板包括与所述光电二极管相邻的相邻光电二极管,所述相邻光电二极管位于所述背表面的与所述曝光区域相邻的相邻曝光区域下方,并且所述图像传感器还包括:
覆盖所述相邻曝光区域并具有与所述光谱滤光器相同的厚度的相邻光谱滤光器。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器的通带不同于所述相邻光谱滤光器的通带。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述光谱滤光器是中性密度滤光器和蓝色光谱滤光器中的一种,所述相邻光谱滤光器是绿色光谱滤光器和红色光谱滤光器中的一种。
12.根据权利要求9所述的图像传感器,还包括:
在所述背表面上的相邻不透明环形格栅单元,所述相邻不透明环形格栅单元在所述相邻光电二极管上方对准,并且所述相邻不透明环形格栅单元在其内表面和外表面之间以及在所述图像平面方向上的宽度小于所述不透明层的宽度。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,其中所述相邻不透明环形格栅单元和所述不透明层由相同的材料形成。
14.根据权利要求12所述的图像传感器,还包括:
所述半导体基板中的光电二极管阵列,所述光电二极管阵列包括所述光电二极管和所述相邻光电二极管;
互连的不透明环形格栅单元的不透明格栅,每个所述互连的不透明环形格栅单元在所述光电二极管阵列的相应光电二极管上对准,所述互连的不透明环形格栅单元包括所述封闭的环形格栅单元和所述相邻不透明环形格栅单元;和
覆盖所述不透明格栅和所述不透明层的介质层,所述介质层包括位于所述光谱滤光器和所述不透明层之间的部分。
15.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括在所述曝光区域上的透明层,其中所述光谱滤光器在所述图像平面方向上位于所述透明层和所述不透明层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的