[发明专利]一种工艺腔室及平行度的检测方法

说明书

本申请公开了一种工艺腔室及平行度的检测方法，工艺腔室包括腔室本体和盖设于腔室本体上方的腔室盖板；承载装置具有承载晶圆的承载面；介质窗具有与承载面相对设置的第一表面和远离承载面的第二表面；检测组件包括处理器和设置于腔室盖板上的多个检测器，沿每个检测器在承载面的投影方向，第二表面与对应的检测器器之间具有第一距离，第一表面与承载面之间具有第二距离，检测器与承载面之间具有第三距离，检测器检测对应的第一距离，处理器根据多个第一距离和预先获得的多个第三距离计算多个第二距离两两之间的差值，并将多个差值的绝对值分别与预设阈值进行比较；多个调平组件与介质窗连接。本申请的工艺腔室检测以及调平操作简单，效率高。

技术领域

本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种工艺腔室及平行度的检测方法。

背景技术

边缘刻蚀是一种刻蚀晶圆(wafer)边缘的方法，可实现晶圆边缘的硅或颗粒的刻蚀，以降低后工序中缺陷(defect)的产生。

边缘刻蚀中，工艺腔室的介质窗(window)与电极基本平行，两者平行度越高，边缘刻蚀的精度就越高。由于介质窗本身是可以相对电极进行运动的，并且介质窗与其他零部件存在装配间隙，因此，工艺腔室在使用一段时间后，介质窗相对电极的角度可能会发生变化，导致两者处于不平行的状态，因此，使用前需要对介质窗与电极之间的平行度进行检测和调平。

目前一般都是在介质窗和电极之间放置多个工装，通过压工装并测量工装的高度来检测介质窗与电极之间两者是否平行，导致在调平过程中，需要频繁对工艺腔室进行打开和关闭操作，调平操作较复杂。因此，提供一种方便对介质窗与电极之间的平行度进行检测及调平的工艺腔室至关重要。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种工艺腔室及平行度的检测方法，可以改善现有的工艺腔室介质窗与电极之间的平行度检测以及调平操作较复杂的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，包括：

腔室本体和盖设于所述腔室本体上方的腔室盖板；

承载装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内，且具有承载晶圆的承载面；

介质窗，所述介质窗设置于所述腔室本体内，且具有与所述承载面相对设置的第一表面和远离所述承载面的第二表面；

检测组件，所述检测组件包括处理器和设置于所述腔室盖板上的多个检测器，沿每个所述检测器在所述承载面的投影方向，所述第二表面与对应的所述检测器器之间具有第一距离，所述第一表面与所述承载面之间具有第二距离，所述检测器与所述承载面之间具有第三距离，所述检测器用于检测对应的所述第一距离，所述处理器与多个所述检测器电连接，用于根据多个所述第一距离和预先获得的多个所述第三距离计算多个所述第二距离两两之间的差值，并将多个所述差值的绝对值分别与预设阈值进行比较；

多个调平组件，多个所述调平组件与多个所述检测器在竖直方向上一一对应设置，各所述调平组件设置于与其对应的所述检测器的上方，所述介质窗与多个所述调平组件连接，多个所述调平组件与所述腔室盖板抵顶连接。

可选的，所述介质窗包括电极部、连接杆和调节部，所述电极部设置于所述腔室本体内且具有所述第一表面和所述第二表面，所述连接杆的一端连接于所述电极部，另一端穿过所述腔室盖板连接于所述调节部，所述调节部与多个所述调平组件连接。

可选的，所述腔室盖板包括盖板本体和设置于所述盖板本体上方的安装支架，所述安装支架套设于所述连接杆的外侧，所述调平组件包括调平顶丝，所述调节部与多个所述调平顶丝连接，多个所述调平顶丝与所述安装支架抵顶连接。

可选的，所述安装支架包括支撑环和环形安装板，所述支撑环设置于所述盖板本体上，所述环形安装板设置于所述支撑环远离所述腔室盖板的一端，多个所述调平顶丝与所述环形安装板抵顶连接。