[发明专利]护膜结构及其制造方法在审
申请号: | 202210488674.5 | 申请日: | 2015-04-20 |
公开(公告)号: | CN114859653A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 林云跃;陈嘉仁;李信昌;严涛南 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 膜结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种护膜结构,包括:
单层护膜薄膜,由石墨烯制成并且所述单层护膜薄膜为单层石墨烯,其中,所述单层护膜薄膜被配置为在光刻工艺中保护掩模结构;以及
护膜框架,通过静电力附接至所述单层护膜薄膜并且被配置为将所述单层护膜薄膜固定至掩模结构,
其中,所述护膜框架与所述单层护膜薄膜接触的第一接触区域大于所述护膜框架与所述掩模结构接触的第二接触区域,
其中,所述护膜框架包含一个或多个通风孔,
其中,所述单层石墨烯的长度在6英寸至10英寸的范围内,
其中,所述掩模结构中的掩模图案具有辐射束穿过其而不会被吸收的一个或多个开口和因而全部或者部分地阻挡辐射束的一个或多个吸收区域,并且其中,所述开口完全由所述单层护膜薄膜覆盖,并且所述一个或多个吸收区域中一些吸收区域延伸至所述单层护膜薄膜外部,
其中,所述掩模图案的位于所述护膜框架正下方的部分从所述护膜框架内部连续延伸至所述护膜框架外部,并且所述掩模图案位于与所述护膜框架不同的层级处,使得所述护膜框架通过所述掩模图案与所述掩模图案下面的掩模衬底间隔开。
2.根据权利要求1所述的护膜结构,其中,所述单层护膜薄膜为矩形形状。
3.根据权利要求1所述的护膜结构,其中,所述护膜框架的内部侧壁为阶梯形状。
4.根据权利要求1所述的护膜结构,所述单层护膜薄膜的厚度在1nm至100μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的护膜结构,其中,所述单层护膜薄膜具有外围区域和中心区域,并且所述护膜框架与所述单层护膜薄膜的所述外围区域直接接触。
6.根据权利要求1所述的护膜结构,其中,所述单层护膜薄膜具有外围区域和中心区域,并且没有支撑结构设置在所述单层护膜薄膜的所述中心区域。
7.一种护膜掩模结构,包括:
掩模衬底,具有形成在所述掩模衬底上方的掩模图案;
护膜框架,设置在所述掩模衬底上;以及
单层护膜薄膜,设置在所述护膜框架上,其中,所述护膜框架通过静电力附接至所述单层护膜薄膜,以及所述单层护膜薄膜由碳基材料制成,
其中,所述护膜框架配置为将所述单层护膜薄膜固定至所述掩模衬底上的所述掩模图案,并且所述护膜框架与所述单层护膜薄膜接触的第一接触区域大于所述护膜框架与所述掩模图案接触的第二接触区域,
所述掩模衬底、所述掩模图案、所述单层护膜薄膜和所述护膜框架形成封闭的掩模空间,所述封闭的掩模空间填充有单原子气体,
其中,所述掩模图案具有辐射束穿过其而不会被吸收的一个或多个开口和因而全部或者部分地阻挡辐射束的一个或多个吸收区域,并且其中,所述开口完全由所述单层护膜薄膜覆盖,并且所述一个或多个吸收区域中一些吸收区域延伸至所述单层护膜薄膜外部,
其中,所述掩模图案的位于所述护膜框架正下方的部分从所述护膜框架内部连续延伸至所述护膜框架外部,并且所述掩模图案位于与所述护膜框架不同的层级处,使得所述护膜框架通过所述掩模图案与所述掩模图案下面的掩模衬底间隔开。
8.根据权利要求7所述的护膜掩模结构,其中,所述单层护膜薄膜是单层石墨烯。
9.根据权利要求7所述的护膜掩模结构,其中,所述单层护膜薄膜为矩形形状。
10.一种护膜结构的形成方法,包括:
在衬底上方形成金属层;
在所述金属层上方通过软印刷方法形成由石墨烯制成的单层护膜薄膜,该单层护膜薄膜为单层石墨烯;
在所述单层护膜薄膜上方形成聚合物层;
使用第一工艺从所述单层护膜薄膜去除所述金属层和所述衬底;
通过静电力将护膜框架附接到所述单层护膜薄膜的与所述聚合物层相对的侧上;以及
在将护膜框架附接到所述单层护膜薄膜之后,使用与所述第一工艺不同的第二工艺去除所述聚合物层,
其中,所述护膜框架被配置为将所述单层护膜薄膜固定至掩模结构,并且所述护膜框架与所述单层护膜薄膜接触的第一接触区域大于所述护膜框架与所述掩模结构接触的第二接触区域,
其中,所述护膜框架包含一个或多个通风孔,
其中,所述掩模结构中的掩模图案具有辐射束穿过其而不会被吸收的一个或多个开口和因而全部或者部分地阻挡辐射束的一个或多个吸收区域,并且其中,所述开口完全由所述单层护膜薄膜覆盖,并且所述一个或多个吸收区域中一些吸收区域延伸至所述单层护膜薄膜外部。
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