[发明专利]电子设备

说明书

一种电子设备包括：基底层；以及显示元件层，包括像素限定层、发光元件和光接收元件，像素限定层具有穿过像素限定层限定的开口。发光元件和光接收元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。发光元件包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的发光层。光接收元件包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的光接收层以及设置在光接收层与电子传输区之间的、包括n型掺杂剂材料的电子提取层。光接收元件将入射到光接收元件的光转换为电信号。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求2021年5月7日在韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2021-0058996号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种在其有效区域中包括发光元件和光接收元件的电子设备。

背景技术

各种电子设备合并显示器以便向用户提供图像信息。通常，这些显示器是触敏的，以便感测由用户例如通过用户手指的按压或触摸笔的施加提供的外部输入。

用于识别外部输入的方法包括感测在电极之间形成的电容变化的电容方法、使用光学传感器感测入射光的光学方法以及使用压电材料感测由触摸引起的振动的超声波方法。在使用光学传感器的情况下，可以通过将接收到的光有效地转换为电信号来提高光接收元件的灵敏度。

发明内容

一种电子设备包括基底层以及设置在基底层上的显示元件层。显示元件层包括像素限定层、发光元件和通过像素限定层与发光元件区分开的光接收元件，像素限定层提供有穿过像素限定层限定的开口。发光元件和光接收元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。发光元件进一步包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的发光层，并且光接收元件进一步包括：光接收层，设置在空穴传输区与电子传输区之间以将入射到光接收层的光转换为电信号；和电子提取层，设置在光接收层和电子传输区之间并且包括n型掺杂剂材料。

n型掺杂剂材料可以包括具有等于或小于大约3.0eV的功函数的金属。

n型掺杂剂材料可以包括具有等于或大于大约-3.0eV的最高占据分子轨道(HOMO)能级的有机化合物。

n型掺杂剂材料可以包括Ca、Yb、K、Cs、Rb或Li。

发光元件可以不包括电子提取层。

电子传输区可以包括电子传输层以及设置在电子传输层与第二电极之间的电子注入层，并且电子传输层可以不包括n型掺杂剂材料。

光接收层可以包括供体化合物和受体化合物，并且受体化合物可以包括富勒烯衍生物或苝四羧酸二酰亚胺(PTCDI)衍生物。

电子提取层可以包括n型掺杂剂材料和受体化合物。

电子提取层可以是包括n型掺杂剂材料的单一材料的层或包括n型掺杂剂材料和受体化合物的复合材料的层。

供体化合物可以包括酞菁类化合物或苝类化合物。

显示元件层可以进一步包括设置在发光层与电子传输区之间以及电子提取层与电子传输区之间的缓冲层。

缓冲层可以不包括n型掺杂剂材料。

设置在光接收层之下的空穴传输区可以包括与设置在发光层之下的空穴传输区的材料相同的材料。

设置在光接收层上的电子传输区可以包括与设置在发光层上的电子传输区的材料相同的材料。