[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

基底层；以及

显示元件层，设置在所述基底层上并且包括像素限定层、发光元件和通过所述像素限定层与所述发光元件区分开的光接收元件，所述像素限定层包括穿过所述像素限定层的开口，所述发光元件和所述光接收元件中的每一个包括：

第一电极；

空穴传输区，设置在所述第一电极上；

电子传输区，设置在所述空穴传输区上；和

第二电极，设置在所述电子传输区上，

其中，所述发光元件进一步包括设置在所述空穴传输区与所述电子传输区之间的发光层，并且

其中，所述光接收元件进一步包括：

光接收层，设置在所述空穴传输区与所述电子传输区之间，所述光接收层被配置为将入射到所述光接收层的光转换为电信号；和

电子提取层，设置在所述光接收层与所述电子传输区之间，所述电子提取层包括n型掺杂剂材料。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括具有等于或小于3.0eV的功函数的金属。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括具有等于或大于-3.0eV的最高占据分子轨道能级的有机化合物。

4.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括Ca、Yb、K、Cs、Rb或Li。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电子提取层不设置在所述发光元件内。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电子传输区包括：

电子传输层；以及

电子注入层，设置在所述电子传输层与所述第二电极之间，

其中，所述n型掺杂剂材料不存在于所述电子传输层内。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述光接收层包括供体化合物和受体化合物，并且所述受体化合物包括富勒烯衍生物或苝四羧酸二酰亚胺衍生物。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述电子提取层包括所述n型掺杂剂材料和所述受体化合物。

9.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述电子提取层是包括所述n型掺杂剂材料的单一材料的层或包括所述n型掺杂剂材料和所述受体化合物的复合材料的层。

10.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述供体化合物包括酞菁类化合物或苝类化合物。

11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述显示元件层进一步包括设置在所述发光层与所述电子传输区之间以及所述电子提取层与所述电子传输区之间的缓冲层。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料不存在于所述缓冲层内。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的电子设备，其中，设置在所述光接收层之下的所述空穴传输区包括与设置在所述发光层之下的所述空穴传输区的材料相同的材料。

14.根据权利要求1-12中任一项所述的电子设备，其中，设置在所述光接收层上的所述电子传输区包括与设置在所述发光层上的所述电子传输区的材料相同的材料。