[发明专利]一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件

说明书

本发明提供了一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。HBC太阳能电池包括：硅基底、均位于硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护绝缘层的绝缘保护层；第二传输层在硅基底的背光面上的第一投影，与第一传输层在硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；绝缘层和绝缘保护层均位于第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖重叠区域；绝缘保护层与绝缘层紧邻分布，且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧；在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层的刻蚀速率，小于绝缘层的刻蚀速率。绝缘保护层的刻蚀速率均较慢，绝缘保护层会对绝缘层起到良好的保护作用，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件。

背景技术

背接触异质结太阳能电池(Heterojunction-IBC，简称为HBC)，由于电极设置于电池背光面，可以有效降低短路电流损失，具有广阔的应用前景。

现有的HBC太阳能电池中，绝缘性能欠佳，导致HBC太阳能电池效率较低。

发明内容

本发明提供一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，旨在解决现有的HBC太阳能电池中，绝缘性能欠佳的问题。

本发明的第一方面，提供一种HBC太阳能电池的制备方法，包括：

硅基底、均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同；

所述第二传输层在所述硅基底的背光面上的第一投影，与所述第一传输层在所述硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；所述绝缘层和所述绝缘保护层均位于所述第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖所述重叠区域；所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布，且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧；

在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率。

本发明实施例中，绝缘层和绝缘保护层紧邻分布，且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧。在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层的刻蚀速率，小于绝缘层的刻蚀速率，进而，在对HBC太阳能电池中的各层进行图形化的过程中，无论是激光刻蚀、酸性刻蚀还是碱性刻蚀，绝缘保护层的刻蚀速率均较慢，位于绝缘层远离硅基底一侧的绝缘保护层均会对绝缘层起到良好的保护作用，使得绝缘层基本不会受到破坏或影响，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能，基本避免了HBC制备工艺难以顺利进行的问题，同时也基本避免了由于绝缘层被破坏导致太阳能电池的效率下降的问题。

可选的，在相同的碱刻蚀条件下，所述绝缘层的刻蚀速率，为所述绝缘保护层的刻蚀速率的30-1800倍。

可选的，在50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件下：所述绝缘层的刻蚀速率为300-1800nm/min，所述绝缘保护层的刻蚀速率为1-10nm/min。

可选的，所述绝缘保护层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。

可选的，所述绝缘保护层为单层结构，或叠层结构。

可选的，所述绝缘保护层的厚度为1nm-2um；所述绝缘保护层的厚度为：所述绝缘保护层在所述硅基底和所述绝缘层的层叠方向上的尺寸。

可选的，所述绝缘保护层包括至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；

所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。