[发明专利]一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件

权利要求书

1.一种HBC太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底、均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层；所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同；

所述第二传输层在所述硅基底的背光面上的第一投影，与所述第一传输层在所述硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；所述绝缘层和所述绝缘保护层均位于所述第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖所述重叠区域；所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布，且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧；

在相同的刻蚀条件下，所述绝缘保护层的刻蚀速率，小于所述绝缘层的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的HBC太阳能电池，其特征在于，在相同的碱刻蚀条件下，所述绝缘层的刻蚀速率，为所述绝缘保护层的刻蚀速率的30-1800倍。

3.根据权利要求2所述的HBC太阳能电池，其特征在于，在50-150℃、碱刻蚀溶液的质量浓度为0.1％-1.2％的碱刻蚀条件下：所述绝缘层的刻蚀速率为300-1800nm/min，所述绝缘保护层的刻蚀速率为1-10nm/min。

4.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层为单层结构，或叠层结构。

6.根据权利要求4所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层的厚度为1nm-2um；所述绝缘保护层的厚度为：所述绝缘保护层在所述硅基底和所述绝缘层的层叠方向上的尺寸。

7.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层包括至少一层P型层和至少一层本征非晶硅层，且所述绝缘保护层中远离所述硅基底的一侧为P型层；

所述P型层的材料选自：P型非晶硅、P型微晶硅、P型多晶硅、含P型掺杂物质的硅氧化物、含P型掺杂物质的硅碳化物、含P型掺杂物质的硅氮化物，六种中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层由依次层叠的第一P型层、本征非晶硅层、第二P型层组成；或，所述绝缘保护层由层叠的第三P型层、本征非晶硅层组成。

9.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层包括：掺硼氧化硅层、掺硼碳化硅层、掺硼氮化硅层三者中的至少一种。

10.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层的材料选自：氮化硅和/或氧化硅。

11.根据权利要求1-3中任一所述的HBC太阳能电池，其特征在于，所述HBC太阳能电池还包括：与所述绝缘层均位于所述硅基底同一侧的，第一背面钝化层、第二背面钝化层、透明导电层、第一电极和第二电极；

所述第一背面钝化层、所述第一传输层均位于所述硅基底和所述绝缘层之间，且所述第一传输层位于所述第一背面钝化层远离所述硅基底的一侧；所述第一传输层在所述硅基底上的第二投影，和所述第一背面钝化层在所述硅基底上的第三投影重叠；所述第一背面钝化层在所述硅基底上间断分布；

所述第二背面钝化层包括和所述第一背面钝化层平齐分布的平齐部分，所述平齐部分位于所述第一背面钝化层的间断位置，且和所述第一背面钝化层形成覆盖所述硅基底的一整层；

所述第二背面钝化层、所述第二传输层、所述透明导电层依次层叠在所述绝缘保护层远离所述硅基底的一侧；所述透明导电层在所述重叠区域上不连续；

所述第一电极、所述第二电极均位于所述透明导电层上所述非重叠区域对应位置上，且所述第一电极和所述第一传输层位置对应，所述第二电极和所述第二传输层位置对应。