[发明专利]太阳电池及其制备方法、光伏系统

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供硅片衬底，所述硅片衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述硅片衬底的所述第一表面上依次层叠形成氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩膜层；

对所述硅片衬底进行退火处理，以使所述掺杂非晶硅膜层转化为掺杂多晶硅膜层；及

采用激光对所述第一表面进行图案化处理，以破坏或去除预设区域的所述氧化硅掩膜层和所述掺杂多晶硅膜层，并保留全部或部分所述氧化层，从而形成图案化区域。

2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述激光为皮秒脉冲激光。

3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述皮秒脉冲激光的波长为355nm或532nm，所述皮秒脉冲激光的脉冲宽度为1ps～100ps。

4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅掩膜层通过气相沉积或者退火热氧化形成。

5.根据权利要求1至4任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述图案化区域之后，所述制备方法还包括如下步骤：

利用制绒药液对所述硅片衬底进行浸泡处理，以去除所述图案化区域内的所述氧化层以及剩余的所述氧化硅掩膜层和所述掺杂多晶硅膜层，并使所述第二表面形成绒面。

6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制绒药液为含有制绒添加剂的碱溶液，所述浸泡处理的温度为30℃～80℃，所述浸泡处理的时间为300s～600s。

7.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在利用制绒药液对所述硅片衬底进行浸泡处理之后，所述制备方法还包括如下步骤：

在所述硅片衬底的所述第一表面上和所述第二表面上分别沉积钝化膜层；及

在所述第一表面上和所述第二表面上的所述钝化膜层上分别沉积减反射膜层。

8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积形成所述减反射膜层之后，所述制备方法还包括如下步骤：

利用激光对所述第一表面上的所述图案化区域进行图案化开孔，去除开孔处的所述钝化膜层和所述减反射膜层以形成电极接触区；及

在所述电极接触区内和所述掺杂多晶硅膜层内注入电极浆料，分别形成第一电极和第二电极。

9.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过权利要求1至8任一项所述的制备方法制备得到。

10.一种光伏系统，其特征在于，所述光伏系统中包括权利要求9所述的太阳电池。