[发明专利]一种高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置

权利要求书

1.一种高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述冷测装置关于中心轴线旋转对称，该冷测装置包括内筒部分、外筒部分和介质内衬部分，所述内筒部分同轴嵌套于外筒部分内，所述介质内衬部分位于内筒部分和外筒部分之间，所述冷测装置具有第一连接端和第二连接端，所述第一连接端的直径小于第二连接端的直径。

2.根据权利要求1所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述内筒部分包括第一内筒和第二内筒，所述外筒部分包括第一外筒、第二外筒和第三外筒，所述介质内衬部分包括第一内衬介质和第二内衬介质，所述第二外筒设于第一内筒的外侧，所述第一内衬介质设于第一内筒的一侧，所述第一外筒设于第一内衬介质的外侧，所述第二内筒设于第一内筒的另一侧，所述第三外筒设于第二外筒的另一侧，所述第二内衬介质位于第一内筒和第二外筒的另一侧之间。

3.根据权利要求2所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第一内筒包括一体式的第一圆柱连接段、第二圆柱连接段、第一锥形过渡段和第一圆筒连接段，所述第一圆柱连接段外侧开设有圆柱形的槽，该圆柱形的槽用于与VNA的N型接头内导体连接，所述第一锥形过渡段为中空圆台结构，所述第一圆筒连接段由三段圆筒同轴连接而成。

4.根据权利要求3所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第二内筒包括一体式的第二圆筒定位段、第三圆筒连接段、圆筒导引段和第四圆筒连接段，所述第三圆筒连接段通过螺纹与第一圆筒连接段连接。

5.根据权利要求3所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第一外筒包括一体式的螺纹连接段、内衬介质固定段、第一法兰连接段，所述螺纹连接段为标准外螺纹接口，该标准外螺纹接口内部为空心圆台部分和空心圆柱部分，所述内衬介质固定段为圆筒状结构，该内衬介质固定段用于与第一内筒配合固定第一内衬介质，所述第一法兰连接段由三段同轴圆筒组成。

6.根据权利要求5所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第二外筒包括一体式的第二法兰连接段、第二锥形过渡段和第三法兰连接段，所述第二法兰连接段为圆筒状结构，所述第二法兰连接段的外侧开有圆筒槽，所述圆筒槽与第一外筒的第一法兰连接段的第三段紧密贴合，所述第二法兰连接段的圆周方向开设有m个通孔，所述第二锥形过渡段由同轴的中空圆锥段和圆筒段组成，所述第三法兰连接段由三段同轴圆筒组成。

7.根据权利要求2所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第三外筒包括一体式的第四法兰连接段、第五圆筒连接段和第五法兰连接段，所述第四法兰连接段为圆筒状结构，所述第四法兰连接段上开设有圆柱槽，该圆柱槽用于与第二外筒配合紧固第二内衬介质，所述第四法兰连接段的圆周方向开设有n个通孔，所述第五圆筒连接段为圆筒状结构，所述第五法兰连接段的外侧设有凸起圆盘，该凸起圆盘用于外筒部分和待测同轴高频电磁结构外导体的紧密配合。

8.根据权利要求2所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第一内衬介质为圆筒状结构，所述第一内衬介质的一侧与第一外筒紧密连接，第一内衬介质的另一侧与第二外筒和第一内筒紧密连接。

9.根据权利要求2所述的高功率微波源同轴高频电磁结构的冷测装置，其特征在于，所述第二内衬介质为旋转对称结构，该第二内衬介质包括第三外筒镶嵌部分、内筒镶嵌部分和漂移管部分，所述第三外筒镶嵌部分为圆筒结构，第三外筒镶嵌部分的一侧与第二外筒紧密连接，另一侧与第三外筒紧密连接，所述内筒镶嵌部分为圆筒结构，内筒镶嵌部分一侧与第一内筒紧密连接，另一侧与第二内筒紧密连接，所述漂移管部分为由梯形旋转一周得到的结构，漂移管部分的上底与第三外筒镶嵌部分内径相接，漂移管部分的下底与内筒镶嵌部分外径相接。