[发明专利]太阳电池及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：提供硅片衬底，所述硅片衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

S20：在所述硅片衬底的第一表面上形成含硅薄膜，所述含硅薄膜包括在所述硅片衬底的第一表面上依次形成的氧化硅层、掺杂层以及掩膜层；

S30：利用激光对所述第一表面上的所述含硅薄膜进行图案化处理，形成图案化区域；

S40：将具有所述含硅薄膜以及所述图案化区域的所述硅片衬底置于含有一元强碱的碱性溶液中进行预处理，制备预处理硅片衬底，将所述预处理硅片衬底置于含有一元强碱的制绒液中进行制绒处理，其中，预处理过程使用的所述碱性溶液中一元强碱的物质的量浓度大于制绒处理中使用的所述制绒液中一元强碱的物质的量浓度。

2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述一元强碱选自氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。

3.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤S40中，所述碱性溶液中一元强碱的物质的量浓度为0.3mol/L～2mol/L；和/或

所述碱性溶液处理时间为10s～200s；和/或

所述碱性溶液处理温度为60℃～80℃。

4.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，通过等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、热氧或链氧的方法在所述第一表面上沉积所述氧化硅层，然后通过等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积的方法在所述氧化硅层上沉积所述掺杂层和所述掩模层。

5.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤S30之后以及步骤S40之前，还包括利用物质的量浓度为4mol/L～6mol/L的氢氟酸处理绕镀于所述衬底第二表面的含硅薄膜的步骤。

6.如权利要求1～5任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤S40中制绒处理包括：将所述预处理硅片衬底置于含有物质的量浓度为0.15mol/L～0.35mol/L的一元强碱的制绒液中进行制绒处理，制备具有绒面的硅片衬底。

7.如权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在制备所述具有绒面的硅片衬底之后还包括步骤S50：在所述具有绒面的硅片衬底的所述第一表面上依次形成第一钝化膜层以及第一减反射膜层，和/或

在所述具有绒面的硅片衬底的所述第二表面上依次形成第二钝化膜层以及第二减反射膜层。

8.如权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤S50之后，还包括步骤S60：利用激光对所述第一表面上的所述图案化区域进行图案化开孔，通过丝网印刷制备第一电极和第二电极。

9.一种太阳电池，其特征在于，按照权利要求1～8任一项所述的太阳电池的制备方法制得的。

10.一种光伏系统，其特征在于，包括太阳能电池组件以及辅助设备，所述太阳能电池组件包括如权利要求9所述的太阳电池。