[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种Mini-LED芯片，包括透明基板，其特征在于，所述Mini-LED芯片还包括：

依次层叠设于所述透明基板上的键合层、P型接触层、外延层及镜面反射层；

以及分别设于所述P型接触层和所述外延层之上的P型金属电极层及N型金属电极层；

其中，所述键合层包括第一键合层以及设于所述第一键合层之上的第二键合层，所述第一键合层为增透膜层，其设于所述透明基板之上，所述第二键合层包括n层透明导电层，n为3-10。

2.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述透明导电层自靠近所述P型接触层至远离所述P型接触层分别为第一层透明导电层至第n层透明导电层，所述第一层透明导电层上设有所述P型接触层。

3.根据权利要求2所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述第一层透明厚度为所述第一层透明导电层设于所述第二层透明导电层之上，所述第二层透明导电层的厚度为

4.根据权利要求2所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述第二层透明导电层设于所述第三层透明导电层之上，所述第三层透明导电层至所述第n层透明导电层的厚度均为

5.根据权利要求2所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述第一层透明导电层至所述第n层透明导电层为不同材质的透明导电材料，所述第一层透明导电层至所述第n层透明导电层均由ITO、IZO、ATO、AZO、GZO及FTO中任意两种或以上的材料组合制成。

6.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述增透膜层的厚度为

7.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述增透膜层由MgF₂、SiO₂、Al₂O₃、TiO₅中任意两种或以上的材料组合制成。

8.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片，其特征在于，所述P型接触层为粗化后的P型磷化镓欧姆接触层。

9.一种Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1-8任一项所述的Mini-LED芯片，所述制备方法包括：

在GaAs衬底上生长外延层；

在所述外延层上生长P型接触层，并将所述P型接触层的表面进行粗化处理；

在粗化后的P型接触层的表面上蒸镀n层透明导电层和增透膜层，其中，所述增透膜层蒸镀于所述透明导电层上，n为3-10；

在增透膜层表面键合透明基板；

通过刻蚀去除GaAs衬底，再将外延层刻蚀至所述P型接触层，在所述P型接触层上蒸镀P型金属电极层；

在芯片上覆盖镜面反射层并通过刻蚀将N型金属电极区域与P型金属电极区域露出；

在所述N型金属电极区域与所述P型金属电极区域分别蒸镀N型金属电极层与所述P型金属电极层，以扩大所述P型金属电极层与所述N型金属电极层的区域。

10.根据权利要求9所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在粗化后的P型接触层的表面上蒸镀n层透明导电层和增透膜层，其中，所述增透膜层蒸镀于所述透明导电层上，n为3-10的步骤，具体包括：

将蒸镀速率设置为氧气的流量控制为5-20sccm，在粗化后的P型接触层的表面上蒸镀厚度为的第一层透明导电层与第二层透明导电层，所述第二层透明导电层生长于所述第一层透明导电层上；

将蒸镀速率设置为氧气的流量控制为5-20sccm，在所述第二层透明导电层上依次蒸镀厚度为的第三层透明导电层至第n层透明导电层；

将蒸镀速率设置为氧气的流量控制为10-30sccm，在所述第n层透明导电层上蒸镀厚度为增透膜层。