[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号: | 202210447269.9 | 申请日: | 2022-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN115410948A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 郭基荣;权相荣;沈且燮 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
基板支承单元,支承基板;
液体供应单元,向由所述基板支承单元支承的所述基板供应液体,所述液体包括药液和清洗液中的任一种;
处理容器,容纳所述基板支承单元,并且回收从所述液体供应单元供应到所述基板的所述液体;以及
捕获模块,设置于所述处理容器,并且捕获从所述基板飞散的所述液体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块以抑制从所述基板飞散的所述液体从所述处理容器反弹并再次飞散的方式捕获所述液体。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块包括用于捕获再次飞散的所述液体的网筛结构。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块以多层形态位于所述处理容器的内部以捕获所述液体。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块包括聚丙烯材质。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块的规格包括0.5T至1T范围的厚度和至少10mm的宽度。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块基于所述液体供应单元对所述基板供应所述药液,第一次捕获飞散到所述处理容器的所述药液,
所述捕获模块基于所述液体供应单元对所述基板供应所述清洗液,第二次捕获飞散到所述处理容器的所述清洗液,以及
所述捕获模块通过所述第二次捕获清洗预先被第一次捕获的所述药液。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述处理容器包括:
第一处理容器,位于最里面;
第二处理容器,与所述第一处理容器形成第一流入空间;以及
第三处理容器,与所述第二处理容器形成第二流入空间,
其中,所述捕获模块至少设置于所述第一流入空间和所述第二流入空间中的任一处以捕获所流入的所述液体。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块在所述处理容器的内壁上以滑动方式进退移动,从而以用于捕获所述液体的第一位置调整模式进行操作。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块以设置于所述处理容器的内壁的连接球为介质与所述处理容器的内壁间隔开设置。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块在所述连接球上以一定范围进行倾斜移动,从而以用于捕获所述液体的第二位置调整模式进行操作。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述捕获模块以单个或多个设置在所述处理容器上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





