[发明专利]电致发光显示设备在审
申请号: | 202210445236.0 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN114725180A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 金正默 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示 设备 | ||
一种电致发光显示设备包括:多个子像素电路单元,所述多个子像素电路单元以矩阵形式布置;至少一条选通线,所述至少一条选通线被设置在所述多个子像素电路单元之间,并且沿着第一方向延伸;多个第一数据线组和多个第二数据线组,所述多个第一数据线组和所述多个第二数据线组被交替地设置在所述多个子像素电路单元之间并且沿着第二方向延伸;多条公共线,所述多条公共线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内,并且沿着所述第二方向延伸;以及多条阳极线,所述多条阳极线被设置在所述第一数据线组或所述第二数据线组内,并且沿着所述第二方向延伸。
本申请是原案申请号为201680052774.6的发明专利申请(国际申请号:PCT/KR2016/012255,申请日:2016年10月28日,发明名称:电致发光显示设备)的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种顶部发光型电致发光显示设备,其能够通过根据电致发光显示设备的像素区域内的各个像素的位置减小阳极与阴极之间的电位的偏差度,来改进电致发光显示设备的亮度均匀性。本公开的电致发光显示设备也能够在电致发光显示设备增大时改进电位的均匀性。
背景技术
作为自发光显示装置的有机发光显示设备不需要像液晶显示设备那样的单独或附加的光源,因此能够轻量化和薄型化。此外,有机发光显示设备不仅由于其低驱动电压而在低功耗方面是有利的,而且在快速响应速度、宽视角和无穷大对比度方面也是有利的。
有机发光显示设备的像素区域包括多个子像素。每个子像素包括有机发光二极管(OLED)。每个有机发光二极管包括作为像素电极的阳极、有机发光层和作为公共电极的阴极。阳极电压ELVDD通过驱动晶体管被提供给像素电极,而阴极电压ELVSS被提供给公共电极。
在顶部发光型有机发光显示设备中,需要可靠性来保护有机发光层免受例如氧和湿气的影响。因此,形成封装单元以保护有机发光层免受在制造过程期间可能发生的氧、湿气、物理冲击和/或碎屑的影响。封装单元可从以下封装单元中选择:玻璃封装单元,在其中交替堆叠无机层和有机层的透明封装单元或者其中无机层覆盖第一基板上的有机发光二极管、透明树脂填充第一基板与第二基板之间的区域并且隔障(dam)包围透明树脂的隔障和填充型透明封装单元。
此外,在顶部发光型有机发光显示设备中,半透明(亚透明)公共电极是镁-银(Mg:Ag)电极、镱(Yb)电极和/或其合金以用于释放在有机发光层处朝向顶侧发射的光。为了获得半透明特性,公共电极的厚度可非常薄,例如,在之间。然而,通常厚度的减小增加公共电极的电阻。
在大尺寸的顶部发光型有机发光显示设备中,公共电极的电阻往往较高。因此,如果离能够向公共电极提供阴极电压ELVSS的阴极电压提供单元的距离增加,则会出现不均匀亮度的问题。
发明内容
本公开的发明人对电致发光显示设备(例如,诸如有机发光显示设备和/或量子点发光显示设备这样的自发光显示设备)进行了研究和开发,该电致发光显示设备包括阴极线(即,辅助公共线)以根据电致发光显示设备的像素区域AA内的像素的位置来改进阴极电压的均匀性,这能够根据像素区域AA的位置减小公共电极的电阻差异。然而,如果实现辅助公共线,则这会引起需要解决的以下示例性问题。
首先,如果公共线的宽度和厚度减小,则线电阻增加,从而降低了公共线的性能。另一方面,如果公共线的宽度和厚度增加,则操作子像素的电路元件(例如,存储电容器、开关元件和驱动元件)的面积可被减小,而这会导致其它问题。
例如,如果公共线的线电阻增加,则电致发光显示设备的阴极电压的均匀性劣化,从而增加了电致发光显示设备的亮度方面的不均匀度。此外,如果公共线的线电阻增加,则在公共线处产生的热量的程度也增加,从而增加了不期望的热应力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的