[发明专利]电致发光显示设备在审
申请号: | 202210445236.0 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN114725180A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 金正默 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示 设备 | ||
1.一种电致发光显示设备,所述电致发光显示设备包括:
第一基板,所述第一基板包括像素区域和非像素区域;
多个像素电路单元,所述多个像素电路单元被设置在所述第一基板上的所述像素区域中,所述多个像素电路单元中的每一个像素电路单元包括晶体管,所述晶体管包括半导体层、栅极、漏极和源极;
至少一条公共线,所述至少一条公共线被设置在所述第一基板上的所述像素区域中;
平坦化层,所述平坦化层被设置在所述晶体管和所述公共线上;
像素电极,所述像素电极被设置在所述平坦化层上并且电连接到所述晶体管的源极;
堤,所述堤被设置在所述平坦化层上并且覆盖所述像素电极的边界;
发光层,所述发光层被设置在所述像素电极和所述堤上;以及
公共电极,所述公共电极被设置在所述发光层上,
其中,所述公共电极电连接到所述公共线。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示设备,其中,所述公共电极在未设置所述发光层的区域处电连接到所述至少一条公共线。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层被设置在所述公共线和所述晶体管之间,并且被设置在所述公共线和所述平坦化层之间。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示设备,其中,所述平坦化层由厚度为2μm的有机材料形成。
5.根据权利要求3所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括绝缘缓冲层,所述绝缘缓冲层被设置在所述第一基板与所述晶体管之间并且被设置在所述第一基板与所述公共线之间,
其中,所述绝缘缓冲层由硅氮氧化物SiONx、硅氧化物SiOx和/或硅氮化物SiNx制成。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示设备,其中,所述绝缘缓冲层具有或更大的厚度。
7.根据权利要求5所述的电致发光显示设备,其中,所述公共电极和所述公共线通过接触孔电连接,
其中,所述接触孔是通过对所述堤、所述平坦化层和所述第一绝缘层进行图案化形成的。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括在未设置所述发光层的区域处电连接到所述公共电极的连接电极,
其中,所述连接电极通过所述接触孔电连接到所述公共线。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示设备,其中,所述连接电极由与所述像素电极相同的材料制成,并且被设置在所述平坦化层上。
10.根据权利要求1所述的电致发光显示设备,其中,所述像素电路单元还包括电容器,
其中,所述电容器包括由与所述栅极相同的材料形成的第一电极和由与所述源极和所述漏极相同的材料形成的第二电极。
11.根据权利要求7所述的电致发光显示设备,其中,所述接触孔被所述堤覆盖。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示设备,其中,所述发光层和所述公共电极为覆盖所述像素区域的公共层。
13.根据权利要求3所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括设置在所述公共电极上的第二绝缘层。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括设置在所述第二绝缘层上的填充材料。
15.根据权利要求14所述的电致发光显示设备,所述电致发光显示设备还包括设置在所述填充材料上的滤色器和黑底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的