[发明专利]阵列基板及显示装置在审
| 申请号: | 202210440952.X | 申请日: | 2022-04-25 | 
| 公开(公告)号: | CN115332267A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 | 
| 发明(设计)人: | 林宏宜 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/167;G02F1/1685 | 
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
一个实施方式所涉及的阵列基板具备:半导体层;信号线,与所述半导体层接触;中继电极,与所述信号线分离,与所述半导体层接触;第一绝缘层,覆盖所述信号线及所述中继电极;以及栅极电极,配置在所述第一绝缘层的上方,并与所述半导体层对置。所述半导体层具有俯视时位于所述信号线与所述中继电极之间的开口。
相关申请的交叉引用
本申请基于并主张2021年4月26日提交的日本专利申请号2021-074264的优先权,全部内容通过参考被引入本申请。
技术领域
本发明的实施方式涉及阵列基板及显示装置。
背景技术
电泳显示装置、液晶显示装置等显示装置,具备形成有薄膜晶体管的阵列基板。在阵列基板中,有时多个薄膜晶体管接近配置。假设由于因各薄膜晶体管的半导体层产生的台阶,在半导体层的上方配置的两个导电层之间的绝缘层局部变薄,则有可能产生绝缘破坏。
发明内容
一个实施方式所涉及的阵列基板具备:半导体层;信号线,与所述半导体层接触;中继电极,与所述信号线分离,并与所述半导体层接触;第一绝缘层,覆盖所述信号线及所述中继电极;以及栅极电极,配置在所述第一绝缘层的上方,并与所述半导体层对置。所述半导体层具有俯视时位于所述信号线与所述中继电极之间的开口。
一个实施方式所涉及的显示装置具备:所述阵列基板;与所述阵列基板对置的对置基板;以及配置在所述阵列基板与所述对置基板之间的显示功能层。
根据这些结构,能够提供可靠性优异的阵列基板及具备该阵列基板的显示装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的显示装置的结构的俯视图。
图2是第一实施方式所涉及的显示装置的概略电路图。
图3是图2所示的像素中可应用的等效电路图。
图4是第一实施方式所涉及的显示装置所具备的显示面板的概略剖视图。
图5是第一实施方式所涉及的阵列基板上配置的主要要素的概略俯视图。
图6是放大表示图5中的开关元件的概略俯视图。
图7是图6中的半导体层及扫描线的概略俯视图。
图8是沿图7中的VIII-VIII线的阵列基板的概略剖视图。
图9是沿图7中的IX-IX线的阵列基板的概略剖视图。
图10是比较例所涉及的开关元件的概略俯视图。
图11是比较例所涉及的阵列基板的概略剖视图。
图12是第二实施方式所涉及的开关元件的概略俯视图。
具体实施方式
参照附图说明几个实施方式。
另外,公开只不过是一例,对于本领域技术人员来说,关于保持发明主旨的适当变更而能够容易地想到的实施方式,当然包含在本发明的范围内。另外,为了使说明更明确,有时与实际的方式相比示意性地表示附图,但只不过是一例,并不限定本发明的解释。在各图中,对于连续配置的相同或类似的要素,有时省略附图标记。另外,在本说明书和各图中,对与关于已出现的图叙述过的构成要素发挥相同或类似的功能的构成要素,标注相同的参照附图标记,有时省略重复的详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





