[发明专利]阵列基板及显示装置在审
| 申请号: | 202210440952.X | 申请日: | 2022-04-25 | 
| 公开(公告)号: | CN115332267A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 | 
| 发明(设计)人: | 林宏宜 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/167;G02F1/1685 | 
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,具备:
半导体层;
第一电极,与所述半导体层接触;
第二电极,与所述第一电极分离,与所述半导体层接触;
第一绝缘层,覆盖所述第一电极及所述第二电极;以及
栅极电极,配置在所述第一绝缘层的上方,与所述半导体层对置,
所述半导体层具有俯视时位于所述第一电极与所述第二电极之间的开口。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,
还具备扫描线,该扫描线位于所述半导体层的下方,与所述栅极电极连接,
所述半导体层与所述栅极电极及所述扫描线重叠。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,
所述栅极电极与所述开口重叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,
所述第一电极及所述第二电极在第一方向上排列,
所述半导体层包括:
与所述第一电极接触的第一区域;
与所述第二电极接触的第二区域;以及
第一沟道区域和第二沟道区域,在所述第一方向上位于所述第一区域与所述第二区域之间,并在与所述第一方向交叉的第二方向上排列;
所述开口在所述第二方向上位于所述第一沟道区域与所述第二沟道区域之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,
所述开口在所述第一方向上的宽度大于所述开口与所述第一区域之间的在所述第一方向上的距离。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,
所述开口在所述第一方向上的宽度大于所述开口与所述第二区域之间的在所述第一方向上的距离。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,
所述开口在所述第二方向上的宽度比所述第一沟道区域或所述第二沟道区域在所述第二方向上的宽度小。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,
所述半导体层具有在所述第二方向上排列的多个所述开口。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,
还具备第二绝缘层,该第二绝缘层配置在所述第一绝缘层的下方,覆盖所述半导体层,
所述第二绝缘层具有与所述半导体层重叠的第一开口及第二开口,
所述第一电极通过所述第一开口而与所述半导体层接触,
所述第二电极通过所述第二开口而与所述半导体层接触。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,
所述半导体层的所述开口与所述第二绝缘层重叠。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,
所述半导体层具有由所述第二绝缘层覆盖的第一沟道区域及第二沟道区域,
所述半导体层的所述开口在俯视时位于所述第一沟道区域与所述第二沟道区域之间。
12.根据权利要求9所述的阵列基板,
所述半导体层的所述开口在俯视时位于所述第一开口与所述第二开口之间。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,
所述第一电极及所述第二电极在第一方向上排列,
所述半导体层在与所述第一方向交叉的第二方向上具有长条形状。
14.根据权利要求13所述的阵列基板,
所述开口在所述第一方向上具有长条形状。
15.一种显示装置,具备:
权利要求1所述的阵列基板;
与所述阵列基板对置的对置基板;以及
配置在所述阵列基板与所述对置基板之间的显示功能层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





