[发明专利]存储器测试方法及装置、介质及设备

说明书

本公开是关于一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器测试方法包括：执行第一数据读写操作，只在一次读取所述第一数据时获取第一测量值；执行第二数据读写操作，只在一次读取所述第二数据时获取第二测量值；根据所述第一测量值和所述第二测量值确定目标测量值，所述目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。本公开可以减小测试过程中的信号抖动。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由于具有结构简单，密度高，功耗低，价格低廉等优点，在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。

对于DRAM而言，通常是利用DQS signal(数据选取脉冲信号)的上升沿和下降沿进行数据锁存。其中，DQS的维持时间和DQS到数据信号DQ的相对时延是重要的指标。

现有测试维持时间和相对时延的过程中，经常会引入信号抖动Jitter的影响，进而导致测试结果偏小。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，以减小维持时间和相对时延测试过程中的信号抖动。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种存储器测试方法，所述方法包括：执行第一数据读写操作，只在一次读取所述第一数据时获取第一测量值；执行第二数据读写操作，只在一次读取所述第二数据时获取第二测量值；根据所述第一测量值和所述第二测量值确定目标测量值，所述目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第一数据，反复多次读取所述第一数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第二数据，反复多次读取所述第二数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述相对时延包括：tDQSQ，所述维持时间包括：tQSH和tQSL。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：多次执行所述第一数据读写操作，从多个所述第一测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值；其中，所述第一测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：多次执行所述第二数据读写操作，从多个所述第二测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值；其中，所述第二测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：读取所述第一数据时，先读取所述第一数据的偶数位数据，再读取所述第一数据的奇数位数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：读取所述第二数据时，先读取所述第二数据的奇数位数据，再读取所述第二数据的偶数位数据。